MMSZ11T1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ11T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ11T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ11T1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ11T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ11T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ11T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。它具有以下典型应用场景：

 1. 电压稳压
   MMSZ11T1G 的齐纳击穿电压为 11V（±5% 精度），适合用于电路中的电压稳压功能。例如，在电源电路中，它可以将输出电压稳定在特定值，防止负载因电压波动而受损。

 2. 过压保护
   该齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受过压冲击。例如，在传感器接口或通信线路中，当输入电压超过设定值时，MMSZ11T1G 会导通并将多余的能量泄放到地，从而保护后端电路。

 3. 信号电平调整
   在信号处理电路中，MMSZ11T1G 可用于限制信号的幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以确保信号电平不会超出预定范围，从而避免失真或损坏。

 4. 参考电压源
   MMSZ11T1G 的稳定击穿电压特性使其适合作为参考电压源。在模拟电路或混合信号电路中，它可以为比较器、运算放大器或其他电路提供稳定的基准电压。

 5. ESD 防护
   在便携式设备或接口电路中，MMSZ11T1G 可以用作静电放电（ESD）保护元件。它的快速响应能力和低动态阻抗能够有效吸收瞬态高压脉冲。

 6. 电源监控电路
   在电池管理系统或电源监控电路中，MMSZ11T1G 可用于检测电压是否超出安全范围。一旦电压达到其齐纳电压，它可以触发警报或启动保护机制。

 特性总结
- 额定功率：0.5W（适用于低功耗应用）
- 封装形式：DO-35 或 DO-41（小型化设计，便于 PCB 布局）
- 工作温度范围：-55°C 至 +175°C（适合工业和汽车环境）

总之，MMSZ11T1G 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要精确电压控制和保护功能的场合。

MMSZ11T1G产品简介：

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MMSZ11T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。它具有以下典型应用场景：

 1. 电压稳压
   MMSZ11T1G 的齐纳击穿电压为 11V（±5% 精度），适合用于电路中的电压稳压功能。例如，在电源电路中，它可以将输出电压稳定在特定值，防止负载因电压波动而受损。

 2. 过压保护
   该齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受过压冲击。例如，在传感器接口或通信线路中，当输入电压超过设定值时，MMSZ11T1G 会导通并将多余的能量泄放到地，从而保护后端电路。

 3. 信号电平调整
   在信号处理电路中，MMSZ11T1G 可用于限制信号的幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以确保信号电平不会超出预定范围，从而避免失真或损坏。

 4. 参考电压源
   MMSZ11T1G 的稳定击穿电压特性使其适合作为参考电压源。在模拟电路或混合信号电路中，它可以为比较器、运算放大器或其他电路提供稳定的基准电压。

 5. ESD 防护
   在便携式设备或接口电路中，MMSZ11T1G 可以用作静电放电（ESD）保护元件。它的快速响应能力和低动态阻抗能够有效吸收瞬态高压脉冲。

 6. 电源监控电路
   在电池管理系统或电源监控电路中，MMSZ11T1G 可用于检测电压是否超出安全范围。一旦电压达到其齐纳电压，它可以触发警报或启动保护机制。

 特性总结
- 额定功率：0.5W（适用于低功耗应用）
- 封装形式：DO-35 或 DO-41（小型化设计，便于 PCB 布局）
- 工作温度范围：-55°C 至 +175°C（适合工业和汽车环境）

总之，MMSZ11T1G 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要精确电压控制和保护功能的场合。