ICGOO在线商城 > MMBZ5257B
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MMBZ5257B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257B由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供MMBZ5257B价格参考以及Fairchild SemiconductorMMBZ5257B封装/规格参数等产品信息。 你可以下载MMBZ5257B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有MMBZ5257B详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257B 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为6.8 V(容差±5%),额定功率为350 mW,最大反向电流(IZT)为20 mA。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位瞬态过电压(如ESD或浪涌),保护后级IC(如MCU、通信接口); 3. 电源轨箝位:用于LDO输出端或电池供电系统中,防止电压异常升高导致器件损坏; 4. 信号电平限制:在模拟/数字信号调理电路中限制输入信号幅值(如将±12 V信号限幅至0–6.8 V范围); 5. 低成本替代方案:在对精度要求不高的消费类电子(如遥控器、LED驱动、小家电)中替代更高成本的基准芯片。 该器件采用SOT-23封装,体积小、响应快(纳秒级)、温度系数较低(约+2.5 mV/°C),适合空间受限且需基础稳压功能的便携式及嵌入式系统。注意:不适用于高精度或大电流稳压场合,设计时需合理计算功耗并确保散热条件满足P = VZ × IZ ≤ 350 mW。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3稳压二极管 33V 0.35W Zener |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor MMBZ5257B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5257B |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5257BFS |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 58 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5257 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |
| 齐纳电压 | 33 V |
| 齐纳电流 | 3.8 mA |