Datasheet下载- 型号： MMBZ15VAL,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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MMBZ15VAL,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ15VAL,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ15VAL,215价格参考。NXP SemiconductorsMMBZ15VAL,215封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MMBZ15VAL,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ15VAL,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ15VAL,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装（SMD）双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，额定反向关断电压为15 V，击穿电压典型值约16.7 V，峰值脉冲功率为200 W（10/1000 μs波形）。其主要应用场景包括： - 接口电路保护：广泛用于USB、RS-232/485、CAN、I²C、SPI等低速通信端口，防止静电放电（ESD，符合IEC 61000-4-2 ±30 kV空气放电）、雷击感应浪涌及系统开关噪声引起的瞬态过压。 - 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，为电池输入、按键、传感器信号线等提供紧凑型ESD防护（小尺寸SOT-23封装，仅2.9×1.3×1.0 mm）。 - 电源轨保护：适用于3.3 V/5 V/12 V等低压直流供电线路（如LDO输出端、MCU供电引脚），钳位异常电压，避免后级IC损坏。 - 汽车电子辅助应用：虽非AEC-Q200认证型号，但在非安全关键的车载信息娱乐（IVI）或车身控制模块（如车灯开关信号）中，可作低成本瞬态抑制补充方案（需结合系统级设计验证）。 该器件响应速度快（<1 ns），漏电流低（<1 μA @ 12 V），双向对称特性使其无需区分极性，简化PCB布局。注意：不适用于高能量重复浪涌或主电源入口防护，应配合保险丝或PTC协同使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 21VC SOT23ESD 抑制器 Diode TVS Dual/Singl 12V 40W 3-Pin |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NXP Semiconductors MMBZ15VAL,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ15VAL,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 85pF @ 1MHz |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8085-2 |
| 击穿电压 | 14.25 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 14.25V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 21V |
| 电容 | 85 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.9A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | Gull Wing Leads |
| 类型 | 齐纳 |
| 通道 | 2 Channels |
