MCP87090T-U/MF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MCP87090T-U/MF由Microchip设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供MCP87090T-U/MF价格参考以及MicrochipMCP87090T-U/MF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载MCP87090T-U/MF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有MCP87090T-U/MF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCP87090T-U/MF 是 Microchip 推出的一款高性能、低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.2 mΩ @ Vgs=10V）的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 2×2 mm UQFN-6 封装，具备优异的热性能和功率密度。其主要应用场景包括：

• 电池供电设备的电源管理：如便携式医疗设备、无线传感器节点、TWS 耳机充电仓等，用于电池充放电路径控制、负载开关及反向电流阻断，得益于低 Rds(on) 和低 Qg，可显著降低导通损耗与开关损耗。

• DC-DC 同步整流应用：适用于降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其在 5–24 V 输入、高效率中低压大电流（如 10–20 A）电源模块中，提升整体转换效率（>95%）。

• 电机驱动与负载驱动电路：常用于小型直流有刷电机（如无人机云台、智能门锁执行器）、LED 驱动或继电器替代方案中的高速开关控制，支持 PWM 频率高达数百 kHz。

• 空间受限的嵌入式系统：UQFN 封装支持高密度 PCB 布局，适用于工业控制器、IoT 边缘节点、可穿戴设备等对尺寸与功耗极为敏感的场景。

该器件支持 3.3 V/5 V 逻辑电平驱动（Vgs(th) 为 1.0–2.0 V），具备内置 ESD 保护（HBM ±2 kV）及 40 V Vds 额定电压，兼顾鲁棒性与易用性。需注意其最大连续漏极电流（ID）受封装散热限制（典型值约 12 A @ TC=25°C），实际设计中建议配合合理 PCB 散热铜箔使用。

MCP87090T-U/MF产品简介：

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MCP87090T-U/MF 是 Microchip 推出的一款高性能、低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.2 mΩ @ Vgs=10V）的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 2×2 mm UQFN-6 封装，具备优异的热性能和功率密度。其主要应用场景包括：

• 电池供电设备的电源管理：如便携式医疗设备、无线传感器节点、TWS 耳机充电仓等，用于电池充放电路径控制、负载开关及反向电流阻断，得益于低 Rds(on) 和低 Qg，可显著降低导通损耗与开关损耗。

• DC-DC 同步整流应用：适用于降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其在 5–24 V 输入、高效率中低压大电流（如 10–20 A）电源模块中，提升整体转换效率（>95%）。

• 电机驱动与负载驱动电路：常用于小型直流有刷电机（如无人机云台、智能门锁执行器）、LED 驱动或继电器替代方案中的高速开关控制，支持 PWM 频率高达数百 kHz。

• 空间受限的嵌入式系统：UQFN 封装支持高密度 PCB 布局，适用于工业控制器、IoT 边缘节点、可穿戴设备等对尺寸与功耗极为敏感的场景。

该器件支持 3.3 V/5 V 逻辑电平驱动（Vgs(th) 为 1.0–2.0 V），具备内置 ESD 保护（HBM ±2 kV）及 40 V Vds 额定电压，兼顾鲁棒性与易用性。需注意其最大连续漏极电流（ID）受封装散热限制（典型值约 12 A @ TC=25°C），实际设计中建议配合合理 PCB 散热铜箔使用。