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MC33151DG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33151DG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33151DG价格参考。ON SemiconductorMC33151DG封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载MC33151DG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC33151DG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33151DG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能栅极驱动器,广泛应用于需要高效、可靠控制功率MOSFET或IGBT的场合。该器件主要用于驱动N沟道功率晶体管,在各种电源管理和电机控制系统中具有广泛应用。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于驱动功率MOSFET,提高系统效率和稳定性。 2. 电机驱动系统:在直流无刷电机(BLDC)、步进电机或伺服电机控制电路中,作为高边或低边驱动器,提供快速响应和高驱动能力。 3. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等,用于提升系统能效与动态响应性能。 4. 汽车电子应用:例如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等,得益于其宽工作电压范围和较强的抗干扰能力。 5. 太阳能逆变器和储能系统:在光伏逆变器中驱动功率开关,实现高效的能量转换。 MC33151DG具备高驱动电流能力、宽电源电压范围(可达20V)、短传播延迟及良好的抗噪特性,适用于高频开关环境。同时其封装体积小,便于集成,是多种电力电子系统的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC门驱动器 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor MC33151DG- |
数据手册 | |
产品型号 | MC33151DG |
上升时间 | 31 ns |
下降时间 | 32 ns |
产品种类 | 门驱动器 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | MC33151DG-ND |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工厂包装数量 | 98 |
延迟时间 | 35ns |
最大功率耗散 | 560 mW |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 98 |
激励器数量 | 2 Driver |
电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
电流-峰值 | 1.5A |
电源电压-最小 | 6.5 V |
电源电流 | 10.5 mA |
类型 | High Speed |
系列 | MC33151 |
输入类型 | 反相 |
输出数 | 2 |
输出端数量 | 2 |
配置 | 低端 |
配置数 | 2 |
高压侧电压-最大值(自举) | - |