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MC14011UBDR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC14011UBDR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC14011UBDR2G价格参考。ON SemiconductorMC14011UBDR2G封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, NAND Gate IC 4 Channel 14-SOIC。您可以下载MC14011UBDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC14011UBDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC14011UBDR2G 是一款由 ON Semiconductor 提供的逻辑电路芯片,属于“逻辑 - 栅极和逆变器”类别。它是一款四路 2 输入 NAND 门(与非门)集成电路,基于 CMOS 技术设计,适用于低功耗、高噪声容限的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 数字信号处理 MC14011UBDR2G 可用于各种数字信号处理任务,例如数据的逻辑运算、信号合成或条件判断。通过组合多个 NAND 门,可以实现更复杂的逻辑功能,如 AND、OR、NOT 等。 2. 时序控制 在需要精确时序控制的系统中,MC14011UBDR2G 可用于构建触发器、计数器或其他时序逻辑电路。例如,在工业自动化设备中,它可以用来控制电机启动/停止或定时操作。 3. 通信接口 该芯片可用于设计简单的通信接口电路,例如串行到并行转换或信号同步。其低功耗特性使其非常适合便携式设备中的通信模块。 4. 电源管理 MC14011UBDR2G 的低静态电流特性使其成为电源管理电路的理想选择。它可以用于设计电池供电设备中的电源开关逻辑,以优化能耗。 5. 家用电器 在家用电器中,该芯片可用于实现基本的逻辑控制功能。例如,在洗衣机、微波炉或空调中,它可以用来处理用户输入信号或监测传感器状态。 6. 汽车电子 汽车电子系统中需要可靠的逻辑控制,MC14011UBDR2G 的宽工作电压范围(2V 至 18V)和高抗噪能力使其适合应用于车载环境,例如灯光控制、雨刷器控制或发动机诊断系统。 7. 教育和实验 由于其简单易用且功能明确,MC14011UBDR2G 常被用于教学和实验环境中,帮助学生理解基础逻辑门的工作原理及其组合应用。 总结 MC14011UBDR2G 的主要优势在于其低功耗、高噪声容限和宽电压范围,这使得它在多种领域中都能发挥重要作用,包括消费电子、工业控制、汽车电子以及教育实验等。根据具体需求,可以通过不同的电路设计来实现多样化的功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC逻辑门 3-18V Quad 2-Input NAND |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,ON Semiconductor MC14011UBDR2G4000B |
数据手册 | |
产品型号 | MC14011UBDR2G |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 80ns @ 15V,50pF |
产品 | NAND |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 180 ns |
低电平输出电流 | 4.2 mA |
供应商器件封装 | 14-SOICN |
其它名称 | MC14011UBDR2GOSCT |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-14 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极数量 | 4 Gate |
标准包装 | 1 |
特性 | - |
电压-电源 | 3 V ~ 18 V |
电流-输出高,低 | 3.5mA,8.8mA |
电流-静态(最大值) | 1µA |
电源电压-最大 | 18 V |
电源电压-最小 | 3 V |
电路数 | 4 |
系列 | MC14011UB |
输入/输出线数量 | 2 / 1 |
输入数 | 2 |
输入线路数量 | 2 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 1 V ~ 2.5 V |
逻辑电平-高 | 4 V ~ 12.5 V |
逻辑类型 | 与非门 |
逻辑系列 | MC140 |
高电平输出电流 | - 1.8 mA |