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MBR1060G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR1060G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR1060G价格参考。ON SemiconductorMBR1060G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 60V 10A TO-220-2。您可以下载MBR1060G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR1060G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBR1060G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款肖特基二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换:MBR1060G广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和交流-直流转换器中,用于高效的整流功能。由于其低正向压降特性,能够减少功率损耗,提高整体效率。 2. 太阳能光伏系统:在太阳能电池板的旁路保护电路中,MBR1060G可以用作旁路二极管,防止因部分遮挡导致的热斑效应,从而保护太阳能电池板。 3. 汽车电子:该型号适用于汽车电子中的各种整流和保护电路,例如车载充电器、LED驱动电路以及电机驱动保护等场景。其高可靠性和耐高温性能非常适合汽车环境。 4. 消费类电子产品:如笔记本适配器、手机充电器等设备中的整流电路,利用MBR1060G的快速恢复特性和低功耗优势,提供更稳定的输出电压。 5. 电机驱动与控制:在小型电机驱动电路中,作为续流二极管使用,可以有效抑制感性负载产生的反电动势,保护电路中的其他元器件。 6. 信号保护:在一些通信接口或数据传输线路中,用作瞬态电压抑制(TVS)保护元件,防止过压损害敏感电路。 7. 工业自动化:在工业控制领域,例如PLC输入/输出模块、传感器接口等地方,可充当隔离或整流角色,确保信号完整性和系统稳定性。 总结来说,MBR1060G凭借其出色的电气性能(如低VF、高IF、快速响应时间),特别适合需要高效能量转换和保护的各类应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220-2肖特基二极管与整流器 10A 60V |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR1060GSWITCHMODE™ |
数据手册 | |
产品型号 | MBR1060G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 800mV @ 10A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 60V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Diodes |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-220-2 |
其它名称 | MBR1060GOS |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-2 |
封装/箱体 | TO-220-2 |
峰值反向电压 | 60 V |
工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 100 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 150 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 0.95 V at 20 A |
正向连续电流 | 10 A |
热阻 | 2°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 60V |
电流-平均整流(Io) | 10A |
系列 | MBR1060 |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |