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Datasheet下载- 型号： MAGX-000035-030000
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MAGX-000035-030000产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ射频JFET晶体管 30-3500MHz 50Volt 30W Pk Gain 25dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,MACOM MAGX-000035-030000- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MAGX-000035-030000 |
| Pd-功率耗散 | 27 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 175 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1078 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.6dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 95 C |
| 技术 | GaN SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大工作温度 | + 95 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 50V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 输出功率 | 30 W |
| 频率 | 1MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
