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Datasheet下载- 型号： IRFS59N10DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFS59N10DPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS59N10DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRFS59N10DPBF价格参考以及International RectifierIRFS59N10DPBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRFS59N10DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IRFS59N10DPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFS59N10DPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有100V耐压、59A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5mΩ）及快速开关特性。其应用场景主要包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源（如服务器电源、通信电源）、同步整流BUCK/BOOST电路，提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动器、电动工具、风扇及泵类控制器中的H桥或半桥功率级； - 工业控制与电源管理：用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）、LED恒流驱动电源及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规版；若用于车载需确认具体批次及认证），常见于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等12V/24V低压系统； - 逆变器与UPS：在小功率离网逆变器、不间断电源的后级功率放大环节中作为主开关器件。 其高雪崩耐量、内置ESD保护及优化的体二极管特性，使其在感性负载切换和瞬态应力环境下具备良好鲁棒性。设计时需注意散热（建议搭配合适散热器）及栅极驱动稳定性（推荐10–15V驱动电压）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFS59N10DPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 114nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 35.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFS59N10DPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 59A （Tc） |
