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Datasheet下载- 型号： IRF6795MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF6795MTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6795MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRF6795MTRPBF价格参考以及International RectifierIRF6795MTRPBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRF6795MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IRF6795MTRPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6795MTRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用最新OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.4 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID高达120A）及优化的开关性能。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的VRM模块）、POL（负载点）转换器，凭借低导通损耗和快速开关特性，显著提升能效（满足80 PLUS Titanium级要求）； - 工业电源与电机驱动：适用于高效率开关电源、UPS、光伏逆变器的DC/DC级，以及中小功率BLDC电机的半桥/全桥驱动； - 车载电子系统：在车载OBC（车载充电机）、DC-DC转换器中承担高压侧/低压侧开关功能，支持48V轻混系统及辅助电源管理； - 电池管理系统（BMS）：用作主动均衡开关或主充放电回路保护开关，得益于低热阻PowerPAK® SO-8L封装，散热性能优异。 该器件支持10V逻辑电平驱动，具备强雪崩耐量、低栅极电荷（Qg=65nC）及符合RoHS/无卤素标准，适用于高密度、高可靠性、高频（可达1MHz）工作的中大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6795MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4280pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 32A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6795MTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta）， 160A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6795mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6795mpbf.spi |
