(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:4) DirectFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:5)(cid:21)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:23) (cid:2) RoHS Compliant and Halogen Free (cid:2) V V R R (cid:2) Low Profile (<0.7 mm) DSS GS DS(on) DS(on) (cid:2) Dual Sided Cooling Compatible (cid:2) 25V max ±20V max 3.8m@ 10V 6.7m@ 4.5V (cid:2) Ultra Low Package Inductance Q Q Q Q Q V g tot gd gs2 rr oss gs(th) (cid:2) Optimized for High Frequency Switching (cid:2) 12nC 4.0nC 1.7nC 14nC 10nC 1.9V (cid:2) Ideal for CPU Core DC-DC Converters (cid:2) Optimized for both Sync.FET and some Control FET application(cid:2) (cid:2) Low Conduction and Switching Losses (cid:2) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:2) (cid:2) 100% Rg tested (cid:2)(cid:3) DirectFET(cid:2) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)(cid:2) SQ SX ST MQ MX MT MP Description The IRF6712SPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET pack- age allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. The IRF6712SPbF balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6712SPbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operating from 12 volt bus converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses. Base Part Number Package Type Standard Pack Orderable Part Number Form Quantity (cid:31) IRF6712SPbF DirectFET Small Can Tape and Reel 4800 IRF6712STRPbF Tape and Reel 1000 IRF6712STR1PbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 25 V DS V Gate-to-Source Voltage ±20 GS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 17 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 13 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:2) 68 I Pulsed Drain Current (cid:3) 130 DM E Single Pulse Avalanche Energy (cid:4) 13 mJ AS IAR Avalanche Current(cid:5)(cid:3) 13 A 12 V) 14.0 ) 10 ID = 17A age( 12.0 ID= 13A VDS= 20V m( )n 8 Veo tl 10.0 VDS= 13V So( 6 TJ = 125°C ucr 8.0 D o R S 6.0 pac ilTy 24 TJ = 25°C Gaeo--tt 24..00 , S 0 G 0.0 V 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 0 5 10 15 20 25 30 35 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 1. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8) (cid:2) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:5) TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:3) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:7) Starting TJ = 25°C, L = 0.14mH, RG = 25, IAS = 13A. (cid:2) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 25 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D V /T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 18 ––– mV/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.8 4.9 m V = 10V, I = 17A (cid:3) DS(on) GS D ––– 6.7 8.7 V = 4.5V, I = 13A (cid:3) GS D V Gate Threshold Voltage 1.4 1.9 2.4 V V = V , I = 50μA GS(th) DS GS D V /T Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.1 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 μA V = 25V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 V = 25V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 40 ––– ––– S V = 13V, I = 13A DS D Q Total Gate Charge ––– 12 18 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 2.9 ––– V = 13V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.7 ––– nC V = 4.5V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 4.0 ––– I = 13A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 3.5 ––– See Fig. 15 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 5.8 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 10 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 1.7 3.0  G t Turn-On Delay Time ––– 11 ––– V = 13V, V = 4.5V(cid:0)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 40 ––– ns I = 13A r D t Turn-Off Delay Time ––– 14 ––– R = 1.8 d(off) G t Fall Time ––– 12 ––– See Fig. 17 f C Input Capacitance ––– 1570 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 490 ––– pF V = 13V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 210 ––– ƒ = 1.0MHz rss Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 45 MOSFET symbol S (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 130 integral reverse SM (Body Diode)(cid:0)(cid:2) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– 0.81 1.0 V T = 25°C, I = 13A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 17 26 ns T = 25°C, I = 13A rr J F Q Reverse Recovery Charge ––– 14 21 nC di/dt = 200A/μs (cid:3) rr (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:8) Pulse width  400μs; duty cycle  2%. (cid:13) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units P @T = 25°C Power Dissipation (cid:0) 2.2 W D A PD @TA = 70°C Power Dissipation (cid:0) 1.4 P @T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 36 D C TP Peak Soldering Temperature 270 °C T Operating Junction and -40 to + 150 J TSTG Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Ambient (cid:0)(cid:3) ––– 58 JA R Junction-to-Ambient (cid:4)(cid:3) 12.5 ––– JA R Junction-to-Ambient (cid:5)(cid:3) 20 ––– °C/W JA R Junction-to-Case (cid:2)(cid:3) ––– 3.5 JC R Junction-to-PCB Mounted 1.0 ––– J-PCB Linear Derating Factor (cid:0)(cid:6) 0.017 W/°C 100 D = 0.50 )A 10 00..2100 J h 0.05 Z t Ri (°C/W) i (sec) eponess( 1 00..0012 JJ11 R1R1 2R22R2 R33R33 R444R4 5R5R55 AA 122..261.142908558567 000...003007015138255640 R 0.1 a l CiC= i=i RiiRi 20.0457 7.41 m 11.9144 99 er h T 0.01 SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:9) Used double sided cooling , mounting pad with large heatsink. (cid:11) Ris measured at TJ of approximately 90°C. (cid:10) Mounted on minimum footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink. (cid:11)(cid:3) Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:4)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:11)(cid:18)(cid:9)(cid:11)(cid:20)(cid:11)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:11)with (cid:11)(cid:4) Mounted on minimum (still air). small clip heatsink (still air) footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink (still air) (cid:15) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF 1000 1000 60μs PULSE WIDTH VGS 60μs PULSE WIDTH VGS Tj = 25°C TOP 10V Tj = 150°C TOP 10V 5.0V 5.0V CAuenr()rt 10100 BOTTOM 443322......505085VVVVVV CAunerr()t 100 BOTTOM 443322......505085VVVVVV e e c c ur ur o o S S o- 1 o- n-t n-t 10 ai ai Dr Dr ,D 0.1 2.5V , D I I 2.5V 0.01 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 1000 2.0 VDS = 15V ID = 17A 60μs PULSE WIDTH A() 100 ed) Cuenrrt TJ = 150°C moazrli 1.5 VVGGSS == 41.05VV ouecr 10 TTJJ == 2-450°°CC N(on) So- DS( an-ti Ra l 1.0 Dr 1 pci ,D Ty I 0.1 0.5 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 V , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) GS Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 25 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED TJ = 25°C Vgs = 4.0V C = C rss gd 20 Vgs = 4.5V C = C + C oss ds gd F) )m VVggss == 51.00VV epc( Ciss n)( 15 n o aacti 1000 Coss R(DS Cap ac l 10 C, pyi T Crss 5 100 0 1 10 100 0 50 100 150 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 9. Typical On-Resistance Vs. Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Drain Current and Gate Voltage (cid:31) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF 1000 1000 VGS = 0V OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS A) A) Cuenrr(t 100 Cuen(rr t100 100μsec Danr i 10 ouecr 10 10msec eeevsr TTJJ == 12550°C°C Sano--ti 1msec R ,DS 1 TJ = -40°C Dr, D 1 TA = 25°C I I T = 150°C J Single Pulse 0 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0.10 1.00 10.00 100.00 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig11. Maximum Safe Operating Area 70 3.0 V) e( 60 g a Votl 2.5 An()t 50 hods l Cuerr 40 eher t 2.0 Dnar iI,D 2300 GatGSh()t 1.5 IIIDDD === 15200500μAμμAA V a l ID = 1.0mA 10 pci ID = 1.0A y T 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 T , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) C Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 60 mJ) ID y( 50 TOP 3.8A egr 5.4A n BOTTOM13A E e 40 h c n a al v 30 A e s ul P 20 e gl n Si ,S 10 A E 0 25 50 75 100 125 150 Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF Id Vds Vgs L VCC DUT 0 210KK S Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 15a. Gate Charge Test Circuit Fig 15b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS (cid:2)R(cid:2)(cid:3)G D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01 IAS Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:10) (cid:9)(cid:3)(cid:4) (cid:3) VDS 90% (cid:9) (cid:23)(cid:4) (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:12) (cid:10) (cid:23) +(cid:9) - (cid:3)(cid:3) (cid:9) (cid:23)(cid:4) 10% (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:8) (cid:3)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10) VGS td(on) tr td(off) tf Fig 17a. Switching Time Test Circuit Fig 17b. Switching Time Waveforms ! (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period ((( (cid:4) (cid:24)(cid:12)(cid:22)(cid:20)(cid:6)(cid:12)(cid:14)(cid:10)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:21)(cid:6)(cid:14)(cid:10)(cid:24)(cid:21)(cid:26)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:19)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:26)(cid:8) VGS=10V (cid:10)(cid:25)(cid:21)(cid:27)(cid:10)(cid:4)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:17)(cid:10)(cid:28)(cid:26)(cid:13)(cid:6)(cid:20)(cid:14)(cid:19)(cid:26)(cid:20)(cid:9) (cid:10)(cid:10)(cid:23)(cid:22)(cid:21)(cid:6)(cid:26)(cid:13)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:19)(cid:26)(cid:9) - (cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:24)(cid:25)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:22)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:25)(cid:26)(cid:9)(cid:14)(cid:19)(cid:10)(cid:31)(cid:29)(cid:22)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:26)(cid:9)(cid:8)(cid:10) (cid:28)(cid:21)(cid:26)(cid:22)(cid:13)!(cid:6)(cid:9)(cid:20)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:26)(cid:20)(cid:9) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt ( VDD (cid:9) (cid:10)(cid:23) (cid:3)(cid:13)"(cid:22)#(cid:12)"(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:10)(cid:22)(cid:20)(cid:10)(cid:8)(cid:21)(cid:19)(cid:26)!(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:17)(cid:13)&(cid:10)(cid:9)$(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:10)(cid:8)%(cid:10)(cid:2)(cid:3)’(’(cid:31)’ (((cid:3)(cid:3) + RVoel-tAapgpelied Body Diode Forward Drop (cid:28)(cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:26)(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:10)$(cid:17)(cid:10)(cid:3)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10))(cid:3)) - Inductor Curent (cid:3)’(’(cid:31)’(cid:10)*(cid:10)(cid:3)(cid:9)"(cid:12)(cid:20)(cid:9)(cid:10)((cid:26)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:10)(cid:31)(cid:9)(cid:8)(cid:14) Ripple  5% ISD ((cid:2)(cid:13)(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:30)(cid:6)(cid:24)(cid:2)(cid:11)(cid:18)(cid:21)(cid:23)(cid:6)(cid:18)(cid:2)(cid:17)(cid:4)(cid:18)(cid:2)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:30)(cid:6)(cid:24)(cid:2)(cid:31)(cid:6)(cid:29)(cid:7) (cid:18)(cid:6)!(cid:6)(cid:30)(cid:5)(cid:7) ((((cid:2)(cid:9) (cid:2)(cid:15)(cid:2)(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:17)(cid:4)(cid:18)(cid:2)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:2)(cid:19)(cid:6)(cid:23)(cid:6)(cid:24)(cid:2)(cid:11)(cid:6)(cid:23)(cid:21)(cid:22)(cid:6)(cid:7) (cid:23)(cid:4) (((cid:2)(cid:10)(cid:6)(cid:23)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:6)(cid:2)(cid:25)(cid:4)(cid:24)(cid:29)(cid:18)(cid:21)(cid:5)"(cid:2)(cid:17)(cid:4)(cid:18)(cid:2)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:30)(cid:6)(cid:24) Fig 18. (cid:11)#(cid:5)(cid:9)(cid:27)(cid:19)(cid:11)(cid:22)(cid:19)$(cid:19)(cid:6)%(cid:19)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:9)$(cid:19)(cid:6)&(cid:11)’(cid:19)%(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:24)(cid:5)(cid:18)(cid:11)for HEXFET(cid:2) Power MOSFETs (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:11)(cid:8)(cid:13)(cid:13)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:17)(cid:7)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:5) (cid:2) (cid:24)(cid:19)(cid:25)(cid:14)(cid:23)(cid:23)(cid:11)(cid:19)(cid:3)(cid:26)(cid:5)(cid:11)(cid:27)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:11)(cid:20)(cid:28)(cid:2)(cid:5)(cid:29)(cid:3)(cid:30)(cid:17)(cid:14)(cid:7)(cid:3)(cid:13)(cid:17)(cid:31) (cid:28)(cid:21)(cid:19)(cid:20)%(cid:19)(cid:11)%(cid:19)(cid:19)(cid:11)#(cid:5)(cid:6)(cid:19)(cid:8)(cid:18))*’(cid:11)(cid:20)++(cid:21)(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:11)(cid:17)(cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:11),-.(cid:2)(cid:14)(cid:15) (cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:20)(cid:21)(cid:21)(cid:11)(cid:27)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:5)(cid:21)%(cid:11)(cid:6)(cid:19)/(cid:20)(cid:6)(cid:27)(cid:5)(cid:17)/(cid:11)(cid:18)0(cid:19)(cid:11)(cid:20)%%(cid:19)(cid:10)1(cid:21)&(cid:11)(cid:9)(cid:7)(cid:11)#(cid:5)(cid:6)(cid:19)(cid:8)(cid:18))*’(cid:4) ’0(cid:5)%(cid:11)(cid:5)(cid:17)(cid:8)(cid:21)(cid:24)(cid:27)(cid:19)%(cid:11)(cid:20)(cid:21)(cid:21)(cid:11)(cid:6)(cid:19)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:19)(cid:17)(cid:27)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:11)%(cid:18)(cid:19)(cid:17)(cid:8)(cid:5)(cid:21)(cid:11)(cid:20)(cid:17)(cid:27)(cid:11)(cid:11)%(cid:24)1%(cid:18)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:19)(cid:11)(cid:27)(cid:19)%(cid:5)/(cid:17)%(cid:4) G = GATE D = DRAIN S = SOURCE D D G S D D " (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF (cid:2) DirectFET Outline Dimension, SQ Outline (Small Size Can, Q-Designation). Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET. This includes all recommendations for stencil and substrate designs. DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 4.75 4.85 0.187 0.191 B 3.70 3.95 0.146 0.156 C 2.75 2.85 0.108 0.112 D 0.35 0.45 0.014 0.018 E 0.48 0.52 0.019 0.020 F 0.78 0.82 0.031 0.032 G 0.88 0.92 0.035 0.036 H 0.78 0.82 0.031 0.032 J N/A N/A N/A N/A K 0.93 0.97 0.037 0.038 L 2.00 2.10 0.079 0.083 M 0.616 0.676 0.0235 0.0274 R 0.020 0.080 0.0008 0.0031 P 0.08 0.17 0.003 0.007 (cid:2) DirectFET Part Marking Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) 2 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

IRF6712SPbF (cid:2) DirectFET Tape & Reel Dimension (Showing component orientation). NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6712TRPBF). For 1000 parts on 7" reel, order IRF6712TR1PBF REEL DIMENSIONS STANDARD OPTION (QTY 4800) TR1 OPTION (QTY 1000) METRIC IMPERIAL METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX A 330.0 N.C 12.992 N.C 177.77 N.C 6.9 N.C B 20.2 N.C 0.795 N.C 19.06 N.C 0.75 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 13.5 12.8 0.53 0.50 D 1.5 N.C 0.059 N.C 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C 58.72 N.C 2.31 N.C F N.C 18.4 N.C 0.724 N.C 13.50 N.C 0.53 G 12.4 14.4 0.488 0.567 11.9 12.01 0.47 N.C H 11.9 15.4 0.469 0.606 11.9 12.01 0.47 N.C Loaded Tape Feed Direction DIMENSIONS NOTE: CONTROLLING METRIC IMPERIAL DIMENSIONS IN MM CODE MIN MAX MIN MAX A 7.90 8.10 0.311 0.319 B 3.90 4.10 0.154 0.161 C 11.90 12.30 0.469 0.484 D 5.45 5.55 0.215 0.219 E 4.00 4.20 0.158 0.165 F 5.00 5.20 0.197 0.205 G 1.50 N.C 0.059 N.C H 1.50 1.60 0.059 0.063 (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) (cid:24)(cid:25)(cid:9)(cid:26)(cid:27)(cid:25)(cid:28)(cid:29)(cid:9)(cid:30)(cid:31) (cid:29)!" (cid:25)(cid:2)(cid:31)(cid:25)#$(cid:7)(cid:30)(cid:31)(cid:30)(cid:7)(cid:2)(cid:28)(cid:7) (cid:5)(cid:21)(cid:14)(cid:22)!(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:7)"(cid:22)!(cid:16)(cid:28)#(cid:7)$(cid:22)(cid:7) (cid:5)(cid:20)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)#(cid:7)%(cid:17)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:9)(cid:15)(cid:19)(cid:17)(cid:7)&(cid:31)’()#(cid:7)* + ,(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:17)(cid:13)(cid:4)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:4)(cid:5)(cid:9)(cid:15)(cid:17)(cid:4)(cid:19)(cid:3)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:25)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:19)(cid:23)(cid:19)(cid:5)(cid:9)#(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)!(cid:19)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:18)(cid:10)(cid:3)(cid:4)(cid:3)-(cid:13)(cid:17)(cid:22)(cid:22)(cid:27) 3 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:17)(cid:19)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)