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Datasheet下载- 型号： IRF6623TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRF6623TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6623TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRF6623TR1PBF价格参考以及International RectifierIRF6623TR1PBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRF6623TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IRF6623TR1PBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFETMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6623TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6623TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V to 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V to 2.2 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6623TR1PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 功率耗散 | 42 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 ST |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 34 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6623.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6623.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
