ICGOO在线商城 > IPW60R165CP
Datasheet下载- 型号： IPW60R165CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPW60R165CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R165CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPW60R165CP价格参考以及InfineonIPW60R165CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPW60R165CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPW60R165CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R165CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、165mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C7系列高压超级结MOSFET，采用TO-247封装。其主要应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高功率开关电源系统，尤其适用于： 1. 服务器与通信电源（AC-DC PFC级）：作为有源PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，凭借C7系列优异的Eoss（输出电容储能）和Qg（栅极电荷）平衡特性，显著降低开关损耗，提升全负载范围效率（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）； 2. 工业电源与UPS系统：用于离线式开关电源主开关或DC-DC隔离变换器（如LLC谐振副边同步整流驱动侧），支持高频（65–300 kHz）工作，减小磁性元件体积； 3. 太阳能逆变器（组串式）：在DC-AC逆变桥臂或MPPT升压级中，兼顾高电压耐受（600V）、低导通损耗及良好dv/dt鲁棒性，提升系统可靠性和转换效率； 4. 电机驱动与APF（有源电力滤波器）：适用于中小功率变频器功率级，具备快速开关能力与强短路耐受（10μs），保障系统安全。 该器件集成优化体二极管（反向恢复电荷Qrr极低），可有效抑制EMI并减少外部缓冲电路需求，适合硬开关及部分软开关拓扑。需配合合适驱动（推荐±12–15V栅极电压）与PCB热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R165CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d915e489f |
| 产品型号 | IPW60R165CP |
| Pd-PowerDissipation | 192 W |
| Pd-功率耗散 | 192 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 165 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 790µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R165CPFKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | IPW60R165 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW60R165CPFKSA1 SP000095483 |
