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  • 型号: IPP60R750E6
  • 制造商: Infineon
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IPP60R750E6产品简介:

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IPP60R750E6 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、7.5Ω(典型值,25°C)增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET,采用TO-220封装。其主要应用场景包括:

- 开关电源(SMPS):广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC(功率因数校正)电路和主DC-DC变换器,凭借低导通电阻(RDS(on))与优化的开关损耗,提升能效与功率密度。

- 光伏逆变器:适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与H桥输出级,在高频硬开关或软开关拓扑中实现高效率、高可靠性运行。

- 不间断电源(UPS):在在线式UPS的逆变和整流模块中,支持快速开关与低热损耗,增强系统响应速度与整机效率。

- 工业电机驱动与变频器:用于中小功率(≤2kW)通用变频器的输出级,满足高dv/dt耐受性与强抗雪崩能力要求。

- LED驱动与充电器:适配高效率、高功率密度的宽输入电压LED恒流驱动及快充适配器(如PD协议大功率方案)。

该器件具备优异的Eoss(输出电容能量)、低栅极电荷(Qg)及增强的体二极管反向恢复特性,显著降低开关损耗,支持更高工作频率设计;同时通过AEC-Q101兼容工艺,亦可用于部分车规级辅助电源场景(需确认具体认证版本)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220MOSFET N-CH 650V 5.7A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.7 A

Id-连续漏极电流

5.7 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R750E6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R750E6_2.0_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a14dd54012a193e52402af5

产品型号

IPP60R750E6

Pd-PowerDissipation

48 W

Pd-功率耗散

48 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

680 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

680 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 170µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

373pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP60R750E6XKSA1
SP000842482

功率-最大值

48W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.7A (Tc)

系列

IPP60R750

零件号别名

IPP60R750E6XKSA1 SP000842482

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