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IPP60R750E6产品简介:
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IPP60R750E6 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、7.5Ω(典型值,25°C)增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET,采用TO-220封装。其主要应用场景包括: - 开关电源(SMPS):广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC(功率因数校正)电路和主DC-DC变换器,凭借低导通电阻(RDS(on))与优化的开关损耗,提升能效与功率密度。 - 光伏逆变器:适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与H桥输出级,在高频硬开关或软开关拓扑中实现高效率、高可靠性运行。 - 不间断电源(UPS):在在线式UPS的逆变和整流模块中,支持快速开关与低热损耗,增强系统响应速度与整机效率。 - 工业电机驱动与变频器:用于中小功率(≤2kW)通用变频器的输出级,满足高dv/dt耐受性与强抗雪崩能力要求。 - LED驱动与充电器:适配高效率、高功率密度的宽输入电压LED恒流驱动及快充适配器(如PD协议大功率方案)。 该器件具备优异的Eoss(输出电容能量)、低栅极电荷(Qg)及增强的体二极管反向恢复特性,显著降低开关损耗,支持更高工作频率设计;同时通过AEC-Q101兼容工艺,亦可用于部分车规级辅助电源场景(需确认具体认证版本)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220MOSFET N-CH 650V 5.7A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.7 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R750E6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R750E6_2.0_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a14dd54012a193e52402af5 |
| 产品型号 | IPP60R750E6 |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 680 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 680 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 170µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 373pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R750E6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A (Tc) |
| 系列 | IPP60R750 |
| 零件号别名 | IPP60R750E6XKSA1 SP000842482 |