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Datasheet下载- 型号： IPP60R099CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPP60R099CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R099CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP60R099CP价格参考以及InfineonIPP60R099CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP60R099CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPP60R099CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP60R099CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、99mΩ（典型值）的高压超级结（CoolMOS™ C3）N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能与高效率，适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，可显著提升能效并减小散热设计压力； ✅ 光伏逆变器：用于MPPT升压级或单相逆变桥臂，在高电压、中等电流下实现高效能量转换； ✅ 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中，兼顾快速响应与低损耗； ✅ 工业电机驱动：适用于中小功率变频器（如风机、泵类控制）的逆变模块，支持16–100kHz高频开关； ✅ LED路灯及高压LED驱动电源：满足宽输入电压范围与高可靠性要求。 该器件具备增强的抗雪崩能力、良好的dv/dt抗扰性及优化的体二极管特性，适合硬开关拓扑（如LLC谐振副边同步整流需搭配驱动优化）。注意：实际应用中需配合合理驱动（推荐门极电阻5–15Ω）、PCB布局（低寄生电感）及散热设计（建议加装散热片），以充分发挥其性能并确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220MOSFET MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R099CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R099CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3e6b4987 |
| 产品型号 | IPP60R099CP |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R099CPIN |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 系列 | IPP60R099 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP60R099CPXKSA1 SP000057021 |
