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  • 型号: IPP60R099CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPP60R099CP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R099CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP60R099CP价格参考以及InfineonIPP60R099CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP60R099CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPP60R099CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 31A TO-220MOSFET MOSFET N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

31 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R099CPCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R099CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3e6b4987

产品型号

IPP60R099CP

Pd-PowerDissipation

255 W

Pd-功率耗散

255 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

99 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

99 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1.2mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

99 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP60R099CPIN
IPP60R099CPXK
IPP60R099CPXKSA1
IPP60R099CSIN
IPP60R099CSIN-ND
IPP60R099CSX
IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

255W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A (Tc)

系列

IPP60R099

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP60R099CPXKSA1 SP000057021

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