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Datasheet下载- 型号： IPP50R190CE
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPP50R190CE产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R190CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP50R190CE价格参考以及InfineonIPP50R190CE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP50R190CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPP50R190CE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP50R190CE 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能 500V、190mΩ CoolMOS™ C7 系列功率晶体管，虽常被归类在“功率MOSFET”而非严格意义上的“专用IC”（ASIC），但在部分平台或选型工具中可能因高度集成化应用而被广义划入专用功率IC类别。 其典型应用场景包括： ✅ 高效率开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器的主开关管，得益于C7技术的低导通电阻（Rds(on)）与优化的Qg×Rds(on)优值，显著降低开关与导通损耗。 ✅ 光伏逆变器：适用于单相组串式逆变器的DC-AC逆变桥臂，支持高频硬开关与软开关拓扑，提升系统效率与功率密度。 ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）：在3.3kW–6.6kW双向OBC中承担AC/DC整流与DC/DC升压/降压功能，具备良好的dv/dt鲁棒性与雪崩耐受能力，确保高可靠性。 ✅ 工业电机驱动与UPS：用于中小功率变频器输出级及在线式UPS逆变模块，支持100kHz以上开关频率，减小磁性元件体积。 注：该器件为分立功率MOSFET（TO-220/TO-263封装），需配合驱动IC、保护电路等外围使用，并非内含逻辑或算法的真正ASIC。其“专用性”体现在针对高能效、高频率、高可靠性电源应用深度优化的器件结构与参数设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSF N CH 500V 18.5A PG-TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP50R190CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ CE |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 510µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1137pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 6.2A, 13V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP50R190CEXKSA1 |
| 功率-最大值 | 32W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.5A （Tc） |
