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- 型号： IPI60R099CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPI60R099CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI60R099CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPI60R099CP价格参考以及InfineonIPI60R099CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPI60R099CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPI60R099CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI60R099CP是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、99mΩ增强型CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET（注意：它不是双极型晶体管BJT，而是硅基超结MOSFET），常被误归类为BJT。该器件采用TO-220FP封装，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能与高可靠性。 其典型应用场景包括： ✅ 工业开关电源（SMPS）：如通信基站、服务器电源中的PFC（功率因数校正）级和主DC-DC变换器，利用其高效率与高频开关能力（可达100–300 kHz）。 ✅ 光伏逆变器：适用于单相/三相组串式逆变器的DC/AC逆变桥臂或MPPT升压电路，支持高电压、高效率运行。 ✅ 电机驱动系统：用于中小功率变频器（如泵、风机、家电压缩机控制）中的逆变模块，兼顾效率与热管理。 ✅ LED路灯驱动与工业照明电源：满足高能效（如IEC 61347、Energy Star要求）及宽输入电压范围需求。 需特别注意：该器件为N沟道增强型MOSFET，非BJT，因此驱动方式为电压驱动（栅极驱动IC推荐使用1EDN/1EDS系列），无需持续基极电流，开关损耗更低、并联更易。设计中应重视PCB布局、驱动电阻匹配及散热设计（RthJA≈60 K/W，建议加散热器）。 综上，IPI60R099CP面向高效率、高功率密度的中高功率（约1–3 kW）工业与能源转换应用，是传统SJ MOSFET与IGBT的高效替代方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI60R099CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI60R099CPAKSA1 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
