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IPI60R099CP产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI60R099CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 99 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI60R099CPAKSA1 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |