【IPB65R420CFD/规格参数】厂家_IPB65R420CFD中文资料_价格

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型号： IPB65R420CFD
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB65R420CFD产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R420CFD由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IPB65R420CFD价格参考以及InfineonIPB65R420CFD封装/规格参数等产品信息。你可以下载IPB65R420CFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB65R420CFD详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB65R420CFD 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、420mΩ增强型CoolMOS™ CFD系列高压超级结MOSFET，专为高效率、高可靠性开关应用优化。其典型应用场景包括：

1. 服务器与通信电源：用于AC-DC整流级（PFC电路）及LLC谐振变换器的主开关，凭借低导通电阻（R_DS(on)）和优化的体二极管特性（CFD即“CoolFET with fast diode”），显著降低导通与开关损耗，提升整机效率（满足80 PLUS Titanium标准）。

2. 工业电源与UPS系统：适用于高频开关电源、不间断电源的逆变/整流模块，在宽负载范围内保持高能效与热稳定性。

3. 太阳能逆变器：在组串式逆变器的DC-DC升压级或隔离型拓扑中，发挥其高压耐受性、快速体二极管恢复能力（减少反向恢复损耗与EMI），提升MPPT效率与系统可靠性。

4. 电动汽车车载充电机（OBC）：作为PFC和DC-DC转换级的核心开关器件，支持高功率密度设计与宽温度范围（-55°C ~ +150°C）工作。

该器件采用TO-263-3（D²PAK）封装，具备优异的热性能与雪崩耐量，配合英飞凌驱动方案可实现紧凑、高效、低噪声的电源系统设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Infineon Technologies
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R420CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432f91014f012f9c293f1a7399
产品图片
产品型号	IPB65R420CFD
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CoolMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 340µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	870pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	420 毫欧 @ 3.4A，10V
供应商器件封装	PG-TO263
其它名称	IPB65R420CFDCT
功率-最大值	83.3W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8.7A （Tc）