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  • 型号: IPB65R420CFD
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPB65R420CFD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R420CFD由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB65R420CFD价格参考以及InfineonIPB65R420CFD封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB65R420CFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPB65R420CFD详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R420CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432f91014f012f9c293f1a7399

产品图片

产品型号

IPB65R420CFD

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 340µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

420 毫欧 @ 3.4A,10V

供应商器件封装

PG-TO263

其它名称

IPB65R420CFDCT

功率-最大值

83.3W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.7A (Tc)

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