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IPB123N10N3 G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB123N10N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB123N10N3 G价格参考以及InfineonIPB123N10N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB123N10N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPB123N10N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 A |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB123N10N3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB123N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd012260508e027f74 |
| 产品型号 | IPB123N10N3 G |
| Pd-PowerDissipation | 94 W |
| Pd-功率耗散 | 94 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 46µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.3 毫欧 @ 46A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB123N10N3 G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 57 S, 29 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 58A (Tc) |
| 系列 | IPB123N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB123N10N3GATMA1 SP000485968 |