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Datasheet下载- 型号： IPA60R190C6
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPA60R190C6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA60R190C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPA60R190C6价格参考￥12.41-￥15.06以及InfineonIPA60R190C6封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPA60R190C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPA60R190C6详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA60R190C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650 V、190 mΩ增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET（虽常被归类于功率器件，但在部分BOM系统中可能被广义划入“专用IC”相关类别；严格而言，它属于分立功率半导体，非传统意义的IC）。其核心应用场景聚焦于高效率、高密度的中高功率开关电源系统。 典型应用包括： - 服务器与通信设备的高效AC-DC电源（如LLC谐振变换器、有源钳位反激等拓扑），利用其低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能（低Qg、Qoss）降低损耗、提升能效（满足80 PLUS Titanium要求）； - 工业电源与UPS系统，支持宽负载范围下的高可靠性运行； - 家电变频驱动（如空调压缩机PFC级）、光伏微型逆变器及储能系统的DC-DC转换器； - 电动汽车车载充电机（OBC）的PFC和DC-DC级，凭借C6技术实现高频（>100 kHz）工作与热性能优化。 该器件采用TO-220FP封装，具备良好散热性与设计兼容性，适用于空间受限但对效率、EMI和热管理要求严苛的工业及消费类电源场景。需注意：其本质为功率晶体管，非集成IC，实际应用中需配合驱动IC、控制器等构成完整电源方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FPMOSFET COOL MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.2 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA60R190C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012264ffa8d31148 |
| 产品型号 | IPA60R190C6 |
| Pd-PowerDissipation | 34 W |
| Pd-功率耗散 | 34 W |
| Qg-GateCharge | 63 nC |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 630µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
| 其它名称 | IPA60R190C6XKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.2A （Tc） |
| 系列 | IPA60R190 |
| 零件号别名 | IPA60R190C6XKSA1 SP000621152 |
