ICGOO在线商城 > IKW15N120H3
Datasheet下载- 型号： IKW15N120H3
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IKW15N120H3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IKW15N120H3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IKW15N120H3价格参考￥-￥41.64以及InfineonIKW15N120H3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IKW15N120H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IKW15N120H3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IKW15N120H3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能高速IGBT（绝缘栅双极型晶体管），虽常被归类于“专用IC”或功率半导体器件（严格而言属分立功率器件，非传统IC），但因其集成驱动优化设计与专用封装，常在系统级应用中作为核心功率开关元件使用。 该器件主要应用于中高功率、高频开关场景，典型包括： - 工业变频驱动：如伺服驱动器、PLC控制电机系统，适用于15–30 kW级三相异步电机调速； - 感应加热设备：如电磁炉、工业热处理电源，利用其1200 V耐压与低开关损耗（Eoff ≈ 1.3 mJ @ IC=15 A, VCE=600 V）实现高效谐振转换； - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：尤其适用于单相/小三相并网逆变器的DC-AC桥臂，支持软开关拓扑（如ZVS），提升效率与可靠性； - 电动汽车车载充电机（OBC）：在PFC升压级与DC-DC隔离级中承担高频硬/软开关任务，配合英飞凌EiceDRIVER™驱动芯片可实现紧凑设计。 其核心优势在于：1200 V高耐压、15 A额定电流、第三代TRENCHSTOP™ IGBT技术带来的低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.1 V @ 25°C）与快速关断能力（tf ≈ 140 ns），配合TO-247封装与优化的短路耐受时间（≥5 µs），兼顾效率、鲁棒性与散热性能。 注：该器件需搭配合适门极驱动、过流/过温保护电路及散热设计，不可直接替代逻辑IC或模拟IC使用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 21ns/260ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
| 描述 | IGBT 1200V 30A 217W TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 75nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW15N120H3TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 |
| 产品型号 | IKW15N120H3 |
| SwitchingEnergy | 1.55mJ |
| TestCondition | 600V, 15A, 35 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，15A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IKW15N120H3FKSA1 |
| 功率-最大值 | 217W |
| 功率耗散 | 217 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 260ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | IKW15N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 零件号别名 | IKW15N120H3FKSA1 SP000674422 |
.jpg)
