ICGOO在线商城 > HYB18T512800BF-2.5
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HYB18T512800BF-2.5
- 制造商： QIMONDA
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
HYB18T512800BF-2.5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HYB18T512800BF-2.5由QIMONDA设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供HYB18T512800BF-2.5价格参考￥77.80-￥88.42以及QIMONDAHYB18T512800BF-2.5封装/规格参数等产品信息。 你可以下载HYB18T512800BF-2.5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有HYB18T512800BF-2.5详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Qimonda |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HYB18T512800BF-2.5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 60-TFBGA（10.5x10） |
| 其它名称 | 675-1013-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M（64M x 8） |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
推荐商品
.jpg)
最新资讯
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
HYB18T512800BF-2.5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商