ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > 逻辑 - 栅极和逆变器 > HEF4073BP,652
Datasheet下载- 型号： HEF4073BP,652
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
HEF4073BP,652产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HEF4073BP,652由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HEF4073BP,652价格参考。NXP SemiconductorsHEF4073BP,652封装/规格：逻辑 - 栅极和逆变器， AND Gate IC 3 Channel 14-DIP。您可以下载HEF4073BP,652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HEF4073BP,652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HEF4073BP 是由 NXP（恩智浦）生产的一款 CMOS 逻辑器件，属于“逻辑 - 栅极和逆变器”分类。它是一款三输入与门（AND Gate）集成电路，采用 14 引脚 DIP 或 SOIC 封装，广泛应用于低功耗、高噪声容限的数字电路设计中。以下是其典型应用场景： 1. 数字信号处理 HEF4073BP 可用于数字信号的逻辑运算，例如检测多个输入信号是否同时为高电平（逻辑“1”）。在嵌入式系统或微控制器外围电路中，它可以用来实现条件判断功能。 2. 传感器信号融合 在多传感器系统中，HEF4073BP 可以将来自多个传感器的信号进行逻辑与操作。例如，在安全系统中，只有当所有传感器都检测到正常状态时，才会输出一个“安全”信号。 3. 电源管理 该芯片可以用于电源管理电路中，作为使能信号的控制元件。例如，在多路电源切换电路中，HEF4073BP 可以确保只有在所有条件满足时才激活某一路电源。 4. 通信接口同步 在串行通信或数据传输中，HEF4073BP 可以用于同步信号的生成。例如，通过与操作确保多个时钟或数据信号完全对齐后才输出有效信号。 5. 家用电器控制 在家用电器（如洗衣机、冰箱等）中，HEF4073BP 可以用于逻辑控制电路。例如，只有在水位、温度和时间三个条件都满足时，才启动某一功能。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，HEF4073BP 可用于监测多个传感器的状态。例如，只有在刹车踏板、油门踏板和档位传感器均处于特定状态时，才允许执行某些操作。 7. 工业自动化 在工业控制系统中，HEF4073BP 可以用于逻辑决策模块。例如，只有在压力、温度和液位都达到设定值时，才启动某个设备。 特点总结： - 低功耗：适合电池供电设备。 - 宽工作电压范围（3V 至 15V）：适用于多种电源环境。 - 高噪声容限：在复杂电磁环境中表现稳定。 总之，HEF4073BP 是一款经典的 CMOS 逻辑器件，适用于需要多输入逻辑与操作的各种场景，尤其是在对功耗和可靠性要求较高的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP逻辑门 TRPL 3INPUT AND GATE |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors HEF4073BP,6524000B |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HEF4073BP,652 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 40ns @ 15V，50pF |
| 产品 | AND |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
| 产品种类 | 逻辑门 |
| 传播延迟时间 | 20 ns |
| 低电平输出电流 | 3.6 mA |
| 供应商器件封装 | 14-DIP |
| 其它名称 | 568-3119-5 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | SOT-27 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极数量 | 3 Gate |
| 标准包装 | 25 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 3 V ~ 15 V |
| 电流-输出高，低 | 3mA，3mA |
| 电流-静态（最大值） | 4µA |
| 电源电压-最大 | 15.5 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 电路数 | 3 |
| 输入/输出线数量 | 3 / 1 |
| 输入数 | 3 |
| 输入线路数量 | 3 |
| 输出线路数量 | 1 |
| 逻辑电平-低 | 1.5 V ~ 4 V |
| 逻辑电平-高 | 3.5 V ~ 11 V |
| 逻辑类型 | 与门 |
| 逻辑系列 | HEF4000 |
| 零件号别名 | HEF4073BPN |
| 高电平输出电流 | - 3.6 mA |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
INTEGRATED CIRCUITS DATA SHEET For a complete data sheet, please also download: •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF, HEC •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF, HEC HEF4073B gates Triple 3-input AND gate Product specification January 1995 File under Integrated Circuits, IC04
Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates DESCRIPTION The HEF4073B provides the positive triple 3-input AND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. Fig.2 Pinning diagram. HEF4073BP(N): 14-lead DIL; plastic (SOT27-1) HEF4073BD(F): 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73) HEF4073BT(D): 14-lead SO; plastic Fig.1 Functional diagram. (SOT108-1) ( ): Package Designator North America Fig.3 Logic diagram (one gate). FAMILY DATA, I LIMITScategory GATES DD See Family Specifications January 1995 2
Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates AC CHARACTERISTICS V =0 V; T =25(cid:176) C; C =50 pF; input transition times£ 20 ns SS amb L V TYPICAL EXTRAPOLATION DD SYMBOL TYP. MAX. V FORMULA Propagation delays I fi O 5 55 110 ns 23 ns + (0,55 ns/pF) C n n L HIGH to LOW 10 t 25 50 ns 14 ns + (0,23 ns/pF) C PHL L 15 20 40 ns 12 ns + (0,16 ns/pF) C L 5 45 90 ns 13 ns + (0,55 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 20 40 ns 9 ns + (0,23 ns/pF) C PLH L 15 15 30 ns 7 ns + (0,16 ns/pF) C L Output transition times 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L HIGH to LOW 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C THL L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C TLH L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L V DD TYPICAL FORMULA FOR P (m W) V Dynamic power 5 600 f +(cid:229) (f C )· V 2 where i o L DD dissipation per 10 2700 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =input freq. (MHz) i o L DD i package (P) 15 8400 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =output freq. (MHz) i o L DD o C =load capacitance (pF) L (cid:229) (f C )=sum of outputs o L V =supply voltage (V) DD January 1995 3