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FMA1AT148产品简介:
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FMA1AT148 是罗姆(ROHM)半导体推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(即数字晶体管,Digital Transistor),采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,含两个NPN晶体管共射结构,每路集成基极-发射极和基极-电阻(R1=47kΩ, R2=47kΩ),支持直接逻辑电平驱动。 其典型应用场景包括: 1. 数字信号电平转换与接口驱动:用于MCU或FPGA的GPIO扩展,驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等低功率负载,无需外接偏置电阻,简化PCB设计; 2. 逻辑门功能实现:利用双通道结构可构建简易AND/OR逻辑电路或反相器,适用于空间受限的嵌入式控制板; 3. 电源管理辅助电路:在DC-DC转换器或LDO中用作使能(EN)信号缓冲、状态指示或故障检测的开关控制; 4. 消费电子与便携设备:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光控制、按键扫描、传感器信号调理等,得益于其小尺寸、低功耗(ICmax=100mA)及高可靠性; 5. 工业IoT节点:用于PLC模块、传感器节点中的信号隔离与驱动,具备良好的ESD防护(HBM ±2kV)和温度稳定性(-55℃~+150℃)。 该器件优势在于节省BOM成本、提升组装良率,并满足AEC-Q101车载标准(部分批次),亦适用于车规级辅助电子系统(如车身控制模块)。需注意:不适用于高频放大或大电流开关场景,最大fT约250MHz,建议工作频率低于10MHz。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor FMA1AT148- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMA1AT148 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT5 |
| 其它名称 | FMA1AT148CT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
| 封装/箱体 | SC-74-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 配置 | Dual Common Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |