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- 型号： FGPF50N33BTTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FGPF50N33BTTU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF50N33BTTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FGPF50N33BTTU价格参考以及Fairchild SemiconductorFGPF50N33BTTU封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FGPF50N33BTTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有FGPF50N33BTTU详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF50N33BTTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的单通道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），额定电压 330 V，连续集电极电流 50 A（Tc=25°C），采用 TO-3P（ISOTOP）封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8 V @ IC=50A）和快速开关特性。 其典型应用场景包括： • 中小功率变频器与电机驱动：适用于370–750 W级单相/三相交流电机控制，如家用空调压缩机、风扇、水泵驱动模块； • 不间断电源（UPS）与逆变器：用于DC-AC转换级，支持高频PWM调制，兼顾效率与热稳定性； • 感应加热设备：在中频（20–50 kHz）谐振电路中作为主开关器件，满足高di/dt要求； • 工业电源与焊接设备：在软开关或硬开关拓扑（如半桥、全桥）中实现高效能量转换； • 电动工具与电池供电系统：配合48 V以下直流母线，用于BLDC或有刷电机控制器，提供可靠过载与短路保护能力（得益于内置续流二极管及稳健的SOA）。 该器件强调鲁棒性与易用性，适用于对成本、散热和可靠性有综合要求的中端工业及消费类电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 330V 50A 43W TO220FIGBT 晶体管 330V, 50A PDP |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 35nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGPF50N33BTTU |
| PCN封装 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 30 V |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 330V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50A |
| 系列 | FGPF50N33 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 330 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 50 A |
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