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EDZTE613.6B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EDZTE613.6B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EDZTE613.6B价格参考。ROHM SemiconductorEDZTE613.6B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.6V 150mW ±3% Surface Mount EMD2。您可以下载EDZTE613.6B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EDZTE613.6B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EDZTE613.6B是一款单齐纳二极管,具有13.6V的齐纳电压(Vz),适用于多种电子电路中的稳压、基准电压和过压保护等场景。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳定与调节 - EDZTE613.6B可用于电源电路中提供稳定的参考电压。例如,在简单的线性稳压器设计中,该齐纳二极管可以与运算放大器或晶体管配合使用,确保输出电压的稳定性。 - 在低功耗设备中,它可以作为辅助电源的稳压元件。 2. 基准电压源 - 齐纳二极管常被用作基准电压源,为模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)或其他需要精确电压参考值的电路提供稳定的电压。 3. 过压保护 - 在信号输入端或敏感电路中,EDZTE613.6B可以用作过压保护器件。当输入电压超过13.6V时,二极管会导通并将电压钳位在安全范围内,从而保护后续电路免受损坏。 4. 信号电平调整 - 在通信或传感器接口电路中,齐纳二极管可以用于将输入信号的电平限制在特定范围内,避免信号失真或损坏接收端设备。 5. 电池管理系统 - 在多节电池组中,齐纳二极管可用于监控每节电池的电压,并在电压过高时触发保护机制。 6. 浪涌抑制 - 在开关电源或电机驱动电路中,齐纳二极管可以帮助吸收瞬态电压浪涌,防止这些浪涌对其他元器件造成损害。 特点与优势: - 高精度:EDZTE613.6B的齐纳电压精度较高,适合对电压稳定性要求较高的应用。 - 小型化封装:采用SMD封装,便于表面贴装,节省PCB空间。 - 可靠性强:Rohm Semiconductor的产品以高质量和高可靠性著称,适合工业级和消费级应用。 综上所述,EDZTE613.6B适用于各种需要稳压、基准电压或过压保护的场合,尤其适合对成本和空间有限制的小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 3.6V 150MW EMD2稳压二极管 150MW 3.6V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor EDZTE613.6B- |
数据手册 | |
产品型号 | EDZTE613.6B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | EMD2 |
其它名称 | EDZTE613.6BTR |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±3% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
封装/箱体 | SC-79 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
电压容差 | 3 % |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |
齐纳电压 | 3.7225 V |
齐纳电流 | 5 mA |