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Datasheet下载- 型号： DSI17-08A
- 制造商： IXYS
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DSI17-08A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DSI17-08A由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DSI17-08A价格参考。IXYSDSI17-08A封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， Diode Avalanche 800V 25A Chassis, Stud Mount DO-203AA。您可以下载DSI17-08A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DSI17-08A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的DSI17-08A是一款单整流二极管模块，广泛应用于需要高效、可靠整流功能的工业与电力电子系统中。该器件额定电压为800V，额定电流为17A，具备优良的热稳定性和耐压性能，适用于高功率密度场景。 典型应用场景包括：工业电源中的交流转直流（AC-DC）整流电路，如电焊机、电机驱动电源和开关电源（SMPS）；在变频器和UPS（不间断电源）系统中用于将电网交流电转换为稳定的直流电；也可用于感应加热设备、电源适配器及各类工业控制设备的整流单元。其模块化设计便于安装与散热，适合紧凑型功率系统。 此外，DSI17-08A具有较强的浪涌电流承受能力，能在瞬态负载或启动冲击下保持稳定运行，因此也适用于对可靠性要求较高的恶劣工业环境。由于采用先进的半导体工艺和绝缘封装结构，该二极管具备良好的电气隔离性能和长期工作稳定性，有助于提升整个系统的安全性和寿命。 总之，DSI17-08A凭借其高耐压、大电流和高可靠性，是工业电源、电机驱动、焊接设备等中高功率整流应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE AVALANCHE 800V 25A DO203AA整流器 17 Amps 800V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,IXYS DSI17-08A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DSI17-08A |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.36V @ 55A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 4mA @ 800V |
| 二极管类型 | 雪崩 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-203AA |
| 其它名称 | DSI1708A |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 800 V |
| 反向电流IR | 4000 uA |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AA，DO-4，接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-203AA (DO-4) |
| 工作温度-结 | -40°C ~ 180°C |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 180 C |
| 最大浪涌电流 | 370 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向电压下降 | 1.36 V at 55 A |
| 正向连续电流 | 25 A |
| 热阻 | 2.1°C/W Jh |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 800V |
| 电流-平均整流(Io) | 25A |
| 系列 | DSI17-08 |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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DS 17 DSI 17 DSA 17 DSAI 17 Rectifier Diode V = 800-1800 V RRM Avalanche Diode I = 40 A F(RMS) I = 25 A F(AV)M DO-203 AA V V (cid:255)(cid:1) V Anode Cathode RSM (BR)min RRM V V V on stud on stud C A DS DSI 900 - 800 DS17-08A DSI17-08A DSA DSAI A C 1300 - 1200 DS17-12A DSI17-12A 1300 1300 1200 DSA17-12A DSAI17-12A 1700 1750 1600 DSA17-16A DSAI17-16A 1900 1950 1800 DSA17-18A DSAI17-18A 10-32UNF (cid:1) Only for Avalanche Diodes A = Anode C = Cathode Symbol Test Conditions Maximum Ratings I T = T 40 A IF(RMS) TVJ = 12VJ5M(cid:1)C; 180(cid:1) sine 25 A Features F(AV)M case P DSA(I) types, T = T , t = 10 (cid:2)s 7 kW (cid:2) International standard package, RSM VJ VJM p JEDEC DO-203 AA (DO-4) I T = 45(cid:1)C; t = 10 ms (50 Hz), sine 370 A (cid:2) Planar glassivated chips FSM VJ V = 0 t = 8.3 ms(60 Hz), sine 400 A R Applications T = T t = 10 ms (50 Hz), sine 300 A VJ VJM (cid:2) Supplies for DC power equipment V = 0 t = 8.3 ms(60 Hz), sine 320 A R (cid:2) DC supply for PWM inverter I2t T = 45(cid:1)C t = 10 ms (50 Hz), sine 680 A2s (cid:2) Field supply for DC motors VJ V = 0 t = 8.3 ms(60 Hz), sine 660 A2s (cid:2) Battery DC power supplies R T = T t = 10 ms (50 Hz), sine 450 A2s VJ VJM Advantages V = 0 t = 8.3 ms(60 Hz), sine 430 A2s R (cid:2) Space and weight savings T -40...+180 (cid:1)C (cid:2) Simple mounting TVJ 180 (cid:1)C (cid:2) Improved temperature and power TVJM -40...+180 (cid:1)C cycling stg (cid:2) Reduced protection circuits M Mounting torque 2.2-2.8 Nm d 19-25 lb.in. Weight 6 g Dimensions in mm (1 mm = 0.0394") Symbol Test Conditions Characteristic Values I T = T ; V = V (cid:3) 4 mA R VJ VJM R RRM V I = 55 A; T = 25(cid:1)C (cid:3) 1.36 V F F VJ V For power-loss calculations only 0.85 V rT0 T = T 8 m(cid:4) T VJ VJM R DC current 1.5 K/W thJC R DC current 2.1 K/W thJH d Creepage distance on surface 2.05 mm S d Strike distance through air 2.05 mm A a Max. allowable acceleration 100 m/s2 Data according to IEC 60747 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions © 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2
DS 17 DSI 17 DSA 17 DSAI 17 100 400 1000 typ. lim. 50Hz, 80% V V = 0 V A A RRM 8A020s R 80 600 300 T = 45°C VJ I I I2t F FSM T = 45°C T = 180°C VJ 60 VJ 400 T = 25°C VJ 200 T = 180°C T = 180°C 40 VJ VJ 200 100 20 0 0 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1V.6 1.8 10-3 10-2 10-1 s 100 1 2 3 4 5 6 7m8s910 V t t F Fig. 1 Forward characteristics Fig. 2 Surge overload current Fig. 3 I2t versus time (1-10 ms) I : crest value, t: duration FSM 50 40 R : W thJA A 2.8 K/W 40 3.2 K/W 30 P I F 4,8 K/W F(AV)M 30 6.3 K/W 8.5 K/W 20 Cu 80x80 20 DC 180° sin 120° 10 10 60° 30° 0 0 0 10 20 30 40A 5000 50 100 150 °C 200 0 50 100 150°C I T T F(AV)M amb case Fig. 4 Power dissipation versus forward current and ambient temperature Fig. 5 Max. forward current at case temperature 180° sine R for various conduction angles d: thJH K/W d R (K/W) thJH DC 2.10 Z 2 180(cid:1) 2.23 thJH 120(cid:1) 2.33 60(cid:1) 2.53 30(cid:1) 2.72 1 Constants for Z calculation: thJH i R (K/W) t (s) thi i 1 0.1006 0.0021 2 0.5311 0.0881 3 0.8683 2.968 0 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 4 0.600 3.20 t Fig. 6 Transient thermal impedance junction to heatsink © 2000 IXYS All rights reserved 2 - 2