Datasheet下载- 型号： DALC112S1RL
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DALC112S1RL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DALC112S1RL由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DALC112S1RL价格参考。STMicroelectronicsDALC112S1RL封装/规格：TVS - 二极管， Clamp Ipp Tvs Diode 表面贴装 8-SOIC。您可以下载DALC112S1RL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DALC112S1RL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的DALC112S1RL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于保护类半导体器件，主要用于电子电路中的过压和浪涌保护。该器件采用双线单向设计，具备快速响应和高可靠性特点，适用于对敏感电子元件进行ESD（静电放电）和电气瞬态干扰防护。 典型应用场景包括：通信接口保护，如USB、RS-232、RS-485等数据线路，防止因静电或雷击感应引起的电压尖峰损坏主控芯片；工业控制设备中用于PLC、传感器信号线的浪涌防护；消费类电子产品如机顶盒、智能家居控制模块、小型电源适配器中的接口保护；以及汽车电子中的低功率信号线路防干扰保护（非直接车载动力系统，适用于车载信息娱乐系统等辅助电路）。 DALC112S1RL具有低电容特性，适合高速信号传输线路，避免信号失真，同时其SOD-323封装小巧，节省PCB空间，便于在高密度电路板上布局。工作温度范围宽，适应性强，可在-55°C至+150°C环境下稳定运行，适合严苛工业环境使用。 综上，DALC112S1RL广泛应用于需高可靠性和紧凑设计的电子系统中，为敏感电路提供高效、可靠的瞬态电压保护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 15VWM 8SOICTVS二极管阵列 12 Diode Array |
| 产品分类 | |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,STMicroelectronics DALC112S1RLDA1 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DALC112S1RL |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | 497-3400-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM114/CL1137/SC1766/PF62967?referrer=70071840http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM114/CL1137/SC492/SS1421/PF62967?referrer=70071840 |
| 击穿电压 | 18 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 6 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 尺寸 | 4 mm W x 5 mm L x 1.25 mm H |
| 工作温度 | - |
| 工作电压 | 18 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | - |
| 电压-反向关态（典型值） | 15V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电容 | 7 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 转向装置（轨至轨） |
| 系列 | DALC112S1 |
| 通道 | 6 Channels |
