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  • 型号: CY7C1645KV18-400BZXI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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CY7C1645KV18-400BZXI产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1645KV18-400BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY7C1645KV18-400BZXI价格参考以及Cypress SemiconductorCY7C1645KV18-400BZXI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY7C1645KV18-400BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有CY7C1645KV18-400BZXI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1645KV18-400BZXI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)架构,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达400MHz(周期时间2.5ns),支持双数据速率读写,具备独立的读/写端口和突发访问能力。

该器件主要面向对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高端通信与网络设备,典型应用场景包括:  
- 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲器(Packet Buffer)、队列管理器(Queue Manager)及流量整形模块;  
- 电信基础设施:基站(尤其是4G LTE / 5G前传/中传单元)、光传输系统(OTN)中的FIFO缓存与信元/分组暂存;  
- 测试测量仪器:高速逻辑分析仪、协议分析仪中用于实时数据捕获与深度缓存;  
- 军事与航空电子:雷达信号处理、实时图像缓存等需高可靠性与宽温(–40°C 至 +85°C,工业级)运行的场景(该型号后缀“X”即表示扩展工业温度范围,“I”代表无铅与符合RoHS)。

其18位总线宽度适配常见数据路径宽度(如支持16位数据+2位ECC),QDR-II+接口可实现高达3.2 GB/s的峰值带宽,显著优于传统SDRAM或DDR,适用于需要零等待状态、纳秒级访问延迟的关键缓存层。  

注:需注意,Infineon于2020年完成对Cypress Semiconductor(赛普拉斯)的收购,而CY7C1645KV18系列原属赛普拉斯产品线,现由Infineon统一销售与支持,技术文档与应用方案沿用原Cypress资源体系。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 144MBIT 400MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=49100

产品图片

产品型号

CY7C1645KV18-400BZXI

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

其它名称

CY7C1645KV18400BZXI

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II+

存储容量

144M(4M x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

400MHz

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