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CY7C1645KV18-400BZXI产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1645KV18-400BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY7C1645KV18-400BZXI价格参考以及Cypress SemiconductorCY7C1645KV18-400BZXI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY7C1645KV18-400BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有CY7C1645KV18-400BZXI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1645KV18-400BZXI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)架构,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达400MHz(周期时间2.5ns),支持双数据速率读写,具备独立的读/写端口和突发访问能力。 该器件主要面向对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高端通信与网络设备,典型应用场景包括: - 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲器(Packet Buffer)、队列管理器(Queue Manager)及流量整形模块; - 电信基础设施:基站(尤其是4G LTE / 5G前传/中传单元)、光传输系统(OTN)中的FIFO缓存与信元/分组暂存; - 测试测量仪器:高速逻辑分析仪、协议分析仪中用于实时数据捕获与深度缓存; - 军事与航空电子:雷达信号处理、实时图像缓存等需高可靠性与宽温(–40°C 至 +85°C,工业级)运行的场景(该型号后缀“X”即表示扩展工业温度范围,“I”代表无铅与符合RoHS)。 其18位总线宽度适配常见数据路径宽度(如支持16位数据+2位ECC),QDR-II+接口可实现高达3.2 GB/s的峰值带宽,显著优于传统SDRAM或DDR,适用于需要零等待状态、纳秒级访问延迟的关键缓存层。 注:需注意,Infineon于2020年完成对Cypress Semiconductor(赛普拉斯)的收购,而CY7C1645KV18系列原属赛普拉斯产品线,现由Infineon统一销售与支持,技术文档与应用方案沿用原Cypress资源体系。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49100 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1645KV18-400BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 其它名称 | CY7C1645KV18400BZXI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II+ |
| 存储容量 | 144M(4M x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |