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Datasheet下载- 型号： CY7C1563XV18-633BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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CY7C1563XV18-633BZXC产品简介：
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CY7C1563XV18-633BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌Infineon）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，18位数据总线，工作频率达333 MHz（666 Mbps双倍数据率），采用209球BGA封装（BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C）。 其主要应用场景包括： - 网络通信设备：如高端路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列及查找表（LUT）缓存，得益于QDR II+的独立读写端口与高带宽特性，可实现零等待读写并发操作； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中的时隙交换与速率适配缓冲； - 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器中用于实时数据采集与暂存，满足大深度、高采样率下的低延迟需求； - 军事与航空航天：因工业级温宽及Cypress/Infineon的高可靠性设计，适用于加固型嵌入式系统中的关键缓存或控制存储； - FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速缓存，配合DDR/QDR控制器IP，提升数据吞吐效率。 该器件不适用于大容量长期存储（如硬盘/Flash替代），而是聚焦于对带宽、确定性延迟和并发访问要求严苛的中间层高速缓存场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 633MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49455 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1563XV18-633BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1563XV18633BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 633MHz |
