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Datasheet下载- 型号： CY7C1320KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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CY7C1320KV18-250BZI产品简介：
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CY7C1320KV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、250MHz（4ns读写周期）、2M×18位（共36Mb）的QDR™ II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：用于路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB/CAM缓存，满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求； - 通信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中作为FPGA或DSP的高速外挂缓存，支撑实时信号处理与数据流暂存； - 测试与测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中用作深度采集缓存，支持长时间高采样率波形捕获； - 军事与航空航天电子系统：凭借-40°C至+85°C工业级宽温（ZI后缀）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、航电数据总线缓冲等严苛环境； - 高端工业控制与视频处理：在多通道视频编解码卡、图像采集卡中实现帧缓存、像素流水线缓冲，保障无丢帧实时处理。 该器件支持双数据速率（DDR）读/写、独立读写端口、可编程突发长度及多种省电模式，特别适合需确定性低延迟、高带宽（峰值达1.8GB/s）且不依赖刷新操作的关键任务应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1320KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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