图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1312KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CY7C1312KV18-250BZI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312KV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312KV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312KV18-250BZI封装/规格：存储器， SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)。您可以下载CY7C1312KV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312KV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312KV18-250BZI是Cypress Semiconductor Corp（现为英飞凌科技公司旗下）推出的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），属于其18Mb QDR™ II+ SRAM产品系列。该器件采用1.8V核心电压，具备双数据速率（DDR）架构，支持高带宽数据传输，适用于对性能要求严苛的通信和网络系统。 典型应用场景包括：高性能网络设备如路由器、交换机和基站中的数据缓存与缓冲存储；电信基础设施中用于处理高速数据流的中间存储；以及测试测量设备、医疗成像系统和工业自动化等需要快速读写响应的领域。其250MHz工作频率和高达500MB/s的传输速率（每数据线）使其在实时数据处理中表现出色。 此外，该芯片采用小型化BGA封装（ZI后缀表示无铅、无卤素的球栅阵列封装），适合空间受限但要求高可靠性和稳定性的嵌入式系统。凭借其QDR（四倍数据速率）架构，可在时钟上升沿和下降沿分别进行读和写操作，有效提升吞吐量，满足多端口数据访问需求。 综上，CY7C1312KV18-250BZI广泛应用于需要高速、低延迟存储解决方案的高端通信与网络系统中，是现代高性能电子系统中关键的存储组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49111 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1312KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
