Datasheet下载- 型号： CY14B101NA-ZS45XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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CY14B101NA-ZS45XI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B101NA-ZS45XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B101NA-ZS45XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B101NA-ZS45XI封装/规格：存储器， NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 45ns 44-TSOP II。您可以下载CY14B101NA-ZS45XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B101NA-ZS45XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cypress Semiconductor Corp的CY14B101NA-ZS45XI是一款非易失性存储器（NVSRAM），主要应用于对数据存储可靠性要求较高的场景。该器件结合了SRAM的高速访问特性和非易失性存储技术，能够在断电情况下通过内置锂电池保护数据不丢失，适用于工业控制、自动化设备、智能仪表、医疗设备及通信设备等领域。典型应用场景包括数据日志记录、设备配置存储、关键系统参数保存等，尤其适合需要频繁写入且要求断电后仍保留数据的应用。其高速访问（最大访问时间45ns）、宽温范围（-40℃至+85℃）和高可靠性设计使其在复杂工业环境中表现稳定。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 45NS 44TSOPNVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.cypress.com/?docID=40139 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Cypress Semiconductor CY14B101NA-ZS45XI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=40139 |
| 产品型号 | CY14B101NA-ZS45XI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48110http://www.cypress.com/?docID=48115http://www.cypress.com/?docID=49741 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 其它名称 | CY14B101NAZS45XI |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工作电压 | 3 V |
| 工作电流 | 70 mA |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 系列 | CY14B101NA |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 45 ns |
| 速度 | 45ns |
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