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- 型号： CY14B101J1-SXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CY14B101J1-SXI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B101J1-SXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY14B101J1-SXI价格参考以及Cypress SemiconductorCY14B101J1-SXI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY14B101J1-SXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CY14B101J1-SXI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B101J1-SXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的 1 Mb（128K × 8）非易失性静态RAM（NVSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可实现断电数据持久保存。 其典型应用场景包括： - 工业自动化设备：如PLC、DCS控制器、运动控制卡等，需在突发断电时瞬时保存运行参数、计数器值、故障日志等关键状态数据，确保重启后快速恢复； - 通信基础设施：基站、交换机、路由器中的配置寄存器与运行时映射表，要求高可靠性与纳秒级读写速度，同时避免电池老化或更换风险； - 医疗电子设备：监护仪、影像设备的实时缓存与事件记录模块，满足IEC 62304安全标准对数据完整性与掉电保持的严苛要求； - 金融终端：POS机、ATM机的交易缓冲区，在电源异常时保障最后一笔交易数据不丢失； - 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS辅助模块）：用于存储校准参数、用户偏好设置及诊断快照（符合AEC-Q100 Grade 2温度等级，–40°C 至 +85°C 工作范围）。 该器件兼具SRAM的高速读写（访问时间≤35 ns）与EEPROM/Flash的数据非易失性，免除电池维护与写入延迟，显著提升系统鲁棒性与生命周期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46794 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B101J1-SXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=44762http://www.cypress.com/?docID=48110 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 428-3164 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | I²C，2 线串口 |
| 标准包装 | 97 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 3.4MHz |
