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- 型号： CSD96371Q5M
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CSD96371Q5M产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD96371Q5M由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CSD96371Q5M价格参考以及Texas InstrumentsCSD96371Q5M封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CSD96371Q5M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CSD96371Q5M详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SYNC BUCK NEXFET 22SONMOSFET High Freq Sync Buck NexFET Pwr Stage |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD96371Q5MNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD96371Q5M |
| Pd-PowerDissipation | 12 W |
| Pd-功率耗散 | 12 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | - |
| RdsOn-漏源导通电阻 | - |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 22-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-35630-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | - |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 22-LFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-22 Clip |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 3.3 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值输出 | 75A |
| 电流-输出/通道 | 50A |
| 类型 | 高端/低端驱动器 |
| 系列 | CSD96371Q5M |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 1 |
