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- 型号： CSD96371Q5M
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CSD96371Q5M产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD96371Q5M由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CSD96371Q5M价格参考以及Texas InstrumentsCSD96371Q5M封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CSD96371Q5M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CSD96371Q5M详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD96371Q5M 是德州仪器（Texas Instruments）推出的高性能、高密度同步降压 NexFET™ 智能功率级（Smart Power Stage），属于PMIC中的“全桥/半桥驱动器”类别（实际为优化的半桥集成驱动+上下管功率MOSFET模块，常用于同步降压拓扑中的高侧+低侧开关单元）。其典型应用场景包括： - 服务器与数据中心的CPU/GPU核心供电（VRD/VRO应用），支持高频（可达1–2 MHz）、高电流（连续80A，峰值120A）动态负载响应； - 人工智能加速卡、FPGA及ASIC的多相DC-DC电源系统，凭借低导通电阻（Rds(on)）、优异热性能（LGA封装）和内置电流检测功能，提升相位间均流精度与系统效率； - 通信基础设施（如5G基站基带板、光模块供电），要求小尺寸、高可靠性及低EMI； - 高端消费电子（如游戏显卡、工作站主板）的紧凑型多相电源设计。 该器件集成了驱动器、高/低侧NexFET™ MOSFET、自举二极管及温度/电流传感电路，简化PCB布局，降低设计复杂度。需配合TI的PWM控制器（如TPS536xx系列）构成完整VR解决方案。注意：它本身不是独立桥式驱动芯片，而是面向同步降压拓扑的智能半桥功率级，不适用于电机驱动等传统H桥场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SYNC BUCK NEXFET 22SONMOSFET High Freq Sync Buck NexFET Pwr Stage |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD96371Q5MNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD96371Q5M |
| Pd-PowerDissipation | 12 W |
| Pd-功率耗散 | 12 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | - |
| RdsOn-漏源导通电阻 | - |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 22-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-35630-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | - |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 22-LFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-22 Clip |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 3.3 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值输出 | 75A |
| 电流-输出/通道 | 50A |
| 类型 | 高端/低端驱动器 |
| 系列 | CSD96371Q5M |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 1 |
