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  • 型号: BZX79-C36,113
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZX79-C36,113产品简介:

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BZX79-C36,113 是 NXP USA Inc.(恩智浦)推出的标称稳压值为 36 V 的硅齐纳二极管(单管),采用 DO-35 玻璃封装,最大功率 400 mW,容差 ±5%(典型),动态阻抗低(约 150 Ω @ IZ = 5 mA),具有良好的温度稳定性和长期可靠性。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路)中提供精确、稳定的36 V基准电压;  
2. 过压保护/钳位:与TVS或限流电阻配合,用于保护后级IC或接口(如工业I/O、CAN总线收发器)免受瞬态高压(如ESD、感应浪涌)损坏;  
3. 电源反馈环路:在小功率线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的光耦反馈侧,作为误差检测的稳压参考点;  
4. 电子电表与工业仪表:在高电压测量前端,用于分压网络的基准箝位,确保ADC输入不超限;  
5. 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q200基础要求(需确认具体批次),适用于车载12 V/24 V系统中的稳压、检测及LED驱动恒流偏置等场景(非主动力系统)。

注意:该器件为通用型齐纳管,不适用于大电流稳压或高频噪声抑制,设计时需配合适当限流电阻,并注意功耗与温升。广泛用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车二级电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 36V 400MW ALF2

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

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产品型号

BZX79-C36,113

PCN其它

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 25.2V

供应商器件封装

ALF2

其它名称

568-11048-2
933117920113
BZX79-C36 T/R
BZX79-C36 T/R-ND
BZX79-C36,113-ND

功率-最大值

400mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 200°C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36V

阻抗(最大值)(Zzt)

99 欧姆

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