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Datasheet下载- 型号： BZV55-B12,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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BZV55-B12,135产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B12,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B12,135价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B12,135封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 12V 500mW ±2% Surface Mount LLDS; MiniMelf。您可以下载BZV55-B12,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV55-B12,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZV55-B12,135 是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别，标称齐纳电压为12V，功率为500mW。该器件广泛应用于各类电子电路中，主要用于电压基准、过压保护和稳压功能。 典型应用场景包括：在电源管理电路中作为参考电压源，确保系统在波动电压下稳定运行；在信号线路或接口电路（如USB、I/O端口）中用于静电放电（ESD）和瞬态电压抑制保护，防止敏感元件因电压突变而损坏；还可用于模拟电路中的偏置电压设置或反馈回路中的稳压控制。 BZV55-B12,135 采用小信号SOD27封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式设备和消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、家用电器控制板等。其稳定的电气性能和高可靠性也使其适用于工业控制模块、传感器供电电路及汽车电子中的辅助系统。 总之，该型号齐纳二极管凭借其精准的稳压特性和紧凑设计，是实现电路保护与电压稳定的关键元件，适用于对空间和性能均有要求的中低功率电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B12,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV55-B12,135 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
| 其它名称 | 568-8213-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 封装/箱体 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 8.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 零件号别名 | /T3 BZV55-B12 |
| 齐纳电压 | 12 V |
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