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- 型号： BUK963R2-40B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BUK963R2-40B,118产品简介：
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BUK963R2-40B,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具有极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 3.2 mΩ @ VGS = 10 V），额定漏源电压 VDS = 40 V，连续漏极电流 ID 高达 120 A（Tc = 25°C），具备强健的雪崩耐受能力和快速开关特性。 该器件主要面向中高功率、高效率直流负载控制场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯、雾灯、尾灯）、电机控制（座椅调节、车窗升降、雨刮器）、风扇/水泵驱动等；符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准，支持 12 V/24 V 车载电源系统。 ✅ 工业电源与负载开关：用于 PLC 输出模块、DC-DC 二次侧同步整流、热插拔保护电路、智能配电单元（eFuse）及高电流固态继电器（SSR）。 ✅ 电动工具与电池供电设备：在无刷直流（BLDC）电机控制器中作相桥臂开关，或作为大电流电池保护/充放电主开关（配合保护IC），得益于低 RDS(on) 可显著降低导通损耗与温升。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V，可被 3.3 V/5 V MCU 直接驱动）简化了驱动电路设计，提升系统集成度与可靠性。综合而言，该MOSFET适用于对效率、功率密度、鲁棒性及汽车合规性要求严苛的中大电流直流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK963R2-40B,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10502pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6588-2 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
