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  • 型号: BUK9618-55A,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9618-55A,118产品简介:

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BUK9618-55A,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、180 A 脉冲电流(ID,pulse)及极低导通电阻(RDS(on) ≈ 4.5 mΩ @ VGS = 10 V),支持 5 V TTL/CMOS 直接驱动(逻辑电平兼容)。

其典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:如车身控制模块(BCM)中的座椅加热、车窗升降、雨刮电机、风扇调速等中功率负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,适用于严苛车载环境。  
✅ 工业电源与电机驱动:用于 DC-DC 同步整流、开关电源次级侧开关、小型直流无刷(BLDC)电机的相位控制或H桥低端开关。  
✅ 高效率负载开关:在服务器电源管理、电池供电设备(如电动工具、储能系统)中作主电源通断控制,低 RDS(on) 减小功耗与温升。  
✅ LED 照明驱动:驱动大电流 LED 阵列或调光电路,支持 PWM 高频开关(具备良好开关速度与雪崩耐量)。  

该器件集成齐纳保护二极管(栅源间),提升 ESD 抗扰能力;热性能优异(RthJC ≈ 0.5 K/W),适配散热片使用。不推荐用于高频射频或线性稳压区长期工作(易过热)。综上,BUK9618-55A,118 主要面向中高压、大电流、高可靠性要求的汽车与工业开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK9618-55A,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2210pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9679-6

功率-最大值

136W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

61A (Tmb)

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