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BUK9606-55B,118产品简介:
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BUK9606-55B,118 是恩智浦(NXP)推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 12 mΩ @ VGS = 10 V)、高耐压(VDSS = 55 V)和额定连续漏极电流达60 A(Tc = 25°C)等特点。其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 典型值仅2.0–3.0 V)使其可直接由微控制器(如STM32、Arduino)或5 V/3.3 V逻辑电路驱动,无需额外栅极驱动器。 典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的车灯(前照灯、尾灯、转向灯)开关、电机(散热风扇、雨刮电机、座椅调节电机)驱动;符合AEC-Q101认证,具备高可靠性与抗浪涌能力; ✅ 工业电源与负载开关:DC-DC转换器次级侧同步整流、大电流电源的热插拔保护、PLC输出模块的高边/低边开关; ✅ 电动工具与家电:无刷直流(BLDC)电机控制器中的功率开关、电钻/吸尘器主电机驱动; ✅ 通信与服务器电源:48 V输入电源系统中的OR-ing二极管替代、冗余电源切换、负载点(POL)稳压器开关管。 该器件集成ESD保护与雪崩能量耐受能力(EAS = 520 mJ),适用于存在感性负载切换、电压瞬变及频繁开关的严苛环境。需注意合理设计PCB散热(建议使用大面积铜箔及散热片)并优化栅极驱动路径以抑制振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9606-55B,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6584-1 |
| 功率-最大值 | 258W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |