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  • 型号: BUK9606-55B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9606-55B,118产品简介:

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BUK9606-55B,118 是恩智浦(NXP)推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 12 mΩ @ VGS = 10 V)、高耐压(VDSS = 55 V)和额定连续漏极电流达60 A(Tc = 25°C)等特点。其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 典型值仅2.0–3.0 V)使其可直接由微控制器(如STM32、Arduino)或5 V/3.3 V逻辑电路驱动,无需额外栅极驱动器。

典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的车灯(前照灯、尾灯、转向灯)开关、电机(散热风扇、雨刮电机、座椅调节电机)驱动;符合AEC-Q101认证,具备高可靠性与抗浪涌能力;  
✅ 工业电源与负载开关:DC-DC转换器次级侧同步整流、大电流电源的热插拔保护、PLC输出模块的高边/低边开关;  
✅ 电动工具与家电:无刷直流(BLDC)电机控制器中的功率开关、电钻/吸尘器主电机驱动;  
✅ 通信与服务器电源:48 V输入电源系统中的OR-ing二极管替代、冗余电源切换、负载点(POL)稳压器开关管。

该器件集成ESD保护与雪崩能量耐受能力(EAS = 520 mJ),适用于存在感性负载切换、电压瞬变及频繁开关的严苛环境。需注意合理设计PCB散热(建议使用大面积铜箔及散热片)并优化栅极驱动路径以抑制振荡。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK9606-55B,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7565pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.4 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-6584-1

功率-最大值

258W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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