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BUK7C10-75AITE,118产品简介:
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BUK7C10-75AITE,118 是恩智浦(NXP)推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 10.5 mΩ @ VGS = 10 V)、75 V耐压、连续漏极电流达40 A(Tc = 25°C),并具备AEC-Q101汽车级认证。 其主要应用场景包括: ✅ 汽车电子系统:如车身控制模块(BCM)中的车灯驱动(前照灯、尾灯、转向灯)、雨刮电机、座椅/车窗升降电机的H桥或单边开关; ✅ 工业电源与负载开关:用于DC-DC转换器次级侧同步整流、服务器/通信设备的热插拔保护、电源轨的智能配电(eFuse功能); ✅ 消费类高可靠性设备:如电动工具电池管理系统的主功率开关、无人机电调(ESC)中的低压侧开关(需配合外部驱动); ✅ 替代传统继电器/IGBT:凭借快速开关(ton/toff < 20 ns)、无机械磨损、低驱动功耗等优势,适用于高频、高寿命要求的固态开关场合。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 1–2.5 V,可直接由MCU GPIO驱动),内置ESD保护和雪崩耐量(EAS = 310 mJ),适用于空间受限、散热条件中等的板载应用。注意:实际使用中需合理设计PCB铜箔散热及栅极驱动(避免振荡),并确保工作电压/温度在额定范围内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKMOSFET TRENCHPLUS MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 电流感测 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7C10-75AITE,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7C10-75AITE,118 |
| Pd-PowerDissipation | 272 W |
| Pd-功率耗散 | 272 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 108 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 121nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9661-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 185 ns |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
| 封装/箱体 | SOT-427-7 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7C10-75AITE |