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BUK664R8-75C,118产品简介:
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BUK664R8-75C,118 是恩智浦(NXP)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 4.8 mΩ @ VGS = 10 V)、75 V漏源耐压及高达120 A的脉冲电流能力。其典型应用场景包括: - 汽车电子:广泛用于车身控制模块(如车灯驱动、雨刮电机、座椅调节、风扇控制)、启停系统中的电源开关及DC-DC转换器次级侧同步整流;符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 - 工业电源与电机驱动:适用于中功率开关电源(如服务器PSU、工业AC/DC适配器)、BLDC电机控制器(如泵、压缩机、传送带驱动)中的高效率H桥或半桥功率级。 - 负载开关与电源管理:作为智能电池保护电路、热插拔(Hot-swap)模块或电子保险丝(eFuse)的核心开关器件,利用其低RDS(on)实现小压降和低功耗。 - 消费类设备:用于高端家电(如变频空调、洗衣机驱动板)、电动工具电池包的主功率开关,支持快速响应与高能效运行。 该器件具备逻辑电平驱动特性(VGS(th)低至1–2.5 V),可直接由MCU或驱动IC控制,简化外围电路;内置ESD防护与雪崩额定能力,提升系统鲁棒性。需注意合理设计PCB散热与栅极驱动(避免振荡),以充分发挥其性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK664R8-75C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 177nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-7006-1 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tmb) |