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  • 型号: BUK663R5-30C,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BUK663R5-30C,118产品简介:

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Nexperia的BUK663R5-30C,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-220AB封装,具有30V耐压、最大连续漏极电流44A(Tc=25°C)、典型导通电阻Rds(on)仅3.5mΩ(Vgs=10V),具备低开关损耗与高效率特性。其主要应用场景包括:  
- DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压(Buck)转换器和负载开关;  
- 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边驱动电路(如电动工具、家电风扇控制);  
- 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充/放电主控开关,支持大电流通断与过流保护;  
- LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动或调光模块中作为PWM高速开关元件;  
- 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级),可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降等12V车载负载开关应用。  
其逻辑电平驱动(Vgs(th)低至1–2.5V)可直接由MCU或DSP的3.3V/5V GPIO驱动,简化外围电路;内置ESD保护与雪崩额定能力(EAS=300mJ)提升了系统鲁棒性。需注意散热设计,建议搭配合适散热片以保障高温下持续性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH TRENCH D2PACK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK663R5-30C,118

PCN设计/规格

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4707pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

78nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-7001-6

功率-最大值

158W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

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