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BUK663R5-30C,118产品简介:
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Nexperia的BUK663R5-30C,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-220AB封装,具有30V耐压、最大连续漏极电流44A(Tc=25°C)、典型导通电阻Rds(on)仅3.5mΩ(Vgs=10V),具备低开关损耗与高效率特性。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压(Buck)转换器和负载开关; - 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边驱动电路(如电动工具、家电风扇控制); - 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充/放电主控开关,支持大电流通断与过流保护; - LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动或调光模块中作为PWM高速开关元件; - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级),可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降等12V车载负载开关应用。 其逻辑电平驱动(Vgs(th)低至1–2.5V)可直接由MCU或DSP的3.3V/5V GPIO驱动,简化外围电路;内置ESD保护与雪崩额定能力(EAS=300mJ)提升了系统鲁棒性。需注意散热设计,建议搭配合适散热片以保障高温下持续性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK663R5-30C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4707pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-7001-6 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |