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BSZ035N03LS G产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ035N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113cefe327502e4 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSZ035N03LS G |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
| 其它名称 | BSZ035N03LSGINDKR |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta), 40A (Tc) |