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  • 型号: BSZ018NE2LS
  • 制造商: Infineon
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BSZ018NE2LS产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8MOSFET N-KAN

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ018NE2LS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ018NE2LSOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc

产品型号

BSZ018NE2LS

Pd-PowerDissipation

69 W

Pd-功率耗散

69 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2 V

上升时间

4.4 ns

下降时间

3.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

其它名称

BSZ018NE2LSDKR

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

2.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

140 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Ta), 40A (Tc)

系列

BSZ018NE2

配置

Single Quad Drain

零件号别名

BSZ018NE2LSATMA1 SP000756338

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