ICGOO在线商城 > BSP32,115
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- 型号： BSP32,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BSP32,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP32,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSP32,115价格参考以及NXP SemiconductorsBSP32,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSP32,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BSP32,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP32,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的 N 沟道增强型 MOSFET（注意：并非双极性晶体管BJT，而是逻辑电平兼容的功率MOSFET），但用户描述中误将其归类为“双极性晶体管（BJT）”。需明确澄清：BSP32,115 属于 场效应晶体管（MOSFET），非BJT。其典型参数包括：VDS = 60 V，ID = 380 mA（连续），RDS(on) ≈ 3.5 Ω（VGS = 10 V），采用SOT-223封装，具备低导通电阻与快速开关特性。 该器件主要应用于中低功率开关场景，如： - 小型电源管理中的负载开关（如USB供电控制、电池充放电路径切换）； - 工业/消费类电子中的继电器替代方案（驱动LED、小型电磁阀、风扇等阻性或轻感性负载）； - 微控制器（如ARM Cortex-M、Arduino）直接驱动的接口电路（因支持4.5 V逻辑电平开通，兼容3.3 V/5 V系统）； - 电池供电设备（如便携仪器、IoT节点）中的电源通断控制，兼顾低静态电流与热稳定性。 因其SOT-223封装具备一定散热能力且无需额外散热器，适合空间受限但需可靠开关性能的应用。需注意：设计时应合理布局PCB散热焊盘，并避免持续高电流导致温升超标。 （注：若确需BJT替代方案，NXP对应型号如BC847系列更合适；BSP32,115不可用于线性放大或高增益模拟电路，仅适用于开关模式。）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 80V 1000MA SOT223 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP32,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 100mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6961-6 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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