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  • 型号: BSO303P H
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSO303P H产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO303P H由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSO303P H价格参考以及InfineonBSO303P H封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSO303P H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSO303P H详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSO303P_1+3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d1b29d566873

产品图片

产品型号

BSO303P H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2678pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

49nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

21 毫欧 @ 8.2A,10V

供应商器件封装

PG-DSO-8

其它名称

BSO303P HDKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A

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