ICGOO在线商城 > BLF6G38-25,112
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF6G38-25,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BLF6G38-25,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38-25,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BLF6G38-25,112价格参考以及NXP SemiconductorsBLF6G38-25,112封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BLF6G38-25,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BLF6G38-25,112详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G38-25,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 3.4–3.8 GHz 频段设计（典型用于 3.5 GHz 5G NR n78 频段）。其主要应用场景包括： 1. 5G 宏基站功率放大器（PA）：适用于 Sub-6 GHz 5G 基站的末级射频功放，支持高效率（典型 PAE ≥ 45% @ 3.5 GHz）、高线性度和宽带宽，满足 100 MHz 以上信号带宽需求； 2. 大规模 MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）：凭借高增益（典型 Gps ≈ 17 dB）、良好热稳定性和紧凑封装（SOT1222），适合集成于多通道、高密度射频前端模块； 3. 小型基站（Small Cell）与微基站：在中等输出功率（Pout = 25 W 连续波 / 50 W 脉冲）下实现优异能效，降低系统散热与供电负担； 4. TDD 模式通信系统：支持高占空比与快速开关，适配 5G TDD 帧结构（如 3ms+10ms 周期），具备良好瞬态响应特性。 该器件采用陶瓷封装，内置ESD保护与优化的输入/输出匹配，可简化外围电路设计，广泛应用于电信基础设施、无线回传及符合 3GPP R15/R16 标准的商用 5G 网络设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC WIMAX 3.8GHZ SOT608A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G38-25,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-8657 |
| 功率-输出 | 4.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 225mA |
| 频率 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 额定电流 | 8.2A |
