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- 型号： BGX885N,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BGX885N,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BGX885N,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BGX885N,112价格参考以及NXP SemiconductorsBGX885N,112封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BGX885N,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BGX885N,112详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BGX885N,112 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的高性能射频功率放大器（RF Power Amplifier），属于LDMOS工艺的宽带射频器件。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于4G LTE和5G Sub-6 GHz宏基站及微基站的末级功率放大，支持700–960 MHz与1710–2700 MHz双频段（需外部匹配），具备高增益（约18 dB）、高效率（典型PAE > 50%）和优异线性度，满足多载波OFDM信号要求。 - 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及小型化RRU（Remote Radio Unit）中，提供稳定输出功率（连续波下可达85 W，脉冲/平均功率适配TD-LTE/FDD-LTE调制）。 - 工业与专网通信：在公共安全（如TETRA、P25）、广播辅助链路、固定无线接入（FWA）等中高功率射频发射系统中，作为可靠、耐热（封装为SOT1232B，支持高结温运行）的功率放大核心。 该器件不适用于消费类终端（如手机），而是面向专业通信基础设施领域，强调可靠性、热稳定性和长期运行一致性。需配合专用驱动级、偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC AMPLIFIER MOD HYBRID SOT115 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | - |
| 产品型号 | BGX885N,112 |
| PCN封装 | |
| RF类型 | 通用 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SFM9 |
| 其它名称 | 568-5211 |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | 8dB |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | SOT-115D |
| 标准包装 | 25 |
| 测试频率 | 750MHz |
| 电压-电源 | 26V |
| 电流-电源 | 240mA |
| 频率 | 40MHz ~ 860MHz |
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