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Datasheet下载- 型号： BC857AT,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BC857AT,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857AT,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BC857AT,115价格参考以及NXP SemiconductorsBC857AT,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BC857AT,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BC857AT,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC857AT,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 PNP 型通用双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低功耗、高增益（hFE 典型值 250–600）、低饱和压降和良好频率响应（fₜ ≈ 100 MHz）等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 信号开关与电平转换：广泛用于微控制器（如 STM32、ESP32）GPIO 驱动电路中，控制LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载； ✅ 模拟放大电路：适用于音频前置放大、传感器信号调理（如温度、光敏电阻微弱信号放大）等低频线性放大场合； ✅ 电源管理辅助功能：在LDO或DC-DC电路中用作使能控制、电压检测比较器输出级或反相驱动； ✅ 消费电子与便携设备：因SOT-23封装尺寸小、功耗低，常用于智能手机、可穿戴设备、无线耳机等对空间和功耗敏感的终端产品； ✅ 工业与汽车电子：符合AEC-Q101可靠性标准（注：BC857AT,115为工业级，非车规；若需车规应用，应选用BC857B,115或带“A”后缀的认证型号），适用于工控板卡、家电控制模块等中低要求场景。 注意：该器件为PNP型，使用时需注意偏置方向（发射极为高电平有效），且最大集电极电流仅100 mA，不适用于大功率驱动。设计中建议保留足够裕量，并注意PCB散热与ESD防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857AT,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857AT,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-8007-2 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 125 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | BC857AT T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
